深沟槽工艺产品晶片周边硅针缺陷的解决方法

在功率金属氧化物半导体器件生产中,有些为了达到特殊的器件性能,采用深沟槽工艺,其沟槽深度可达几十微米,该类产品在关键的深沟槽刻蚀中,晶片边缘经常会有硅针缺陷产生,该缺陷在后续湿法清洗过程中,会成为颗粒的主要来源,影响晶片良率和污染湿法清洗机台。文章阐述了两种通过优化沟槽光刻工艺来解决此种缺陷的方法,一种为沟槽层光刻采用倒梯形工艺,另一种为沟槽层光刻采用负光阻工艺,两种方法旨在将晶片周边保护起来,在深沟槽刻蚀中下层材质不被损伤,解决深沟槽工艺产品周边硅针缺陷问题。

籽晶偏向对高纯半绝缘4H-SiC晶体影响的研究

采用PVT法得到高纯4H-SiC体单晶。研究了0°、1°、4°晶体对晶体台阶流、晶体结晶质量、晶体缺陷、晶体电学性能的影响;晶体台阶流采用奥林巴斯显微镜进行表征,晶体缺陷采用莱卡体系显微镜进行表征,晶体结晶质量采用高分辨XRD进行表征,晶体电学性能采用非接触电阻率测试仪进行表征。实验结果表明:4°籽晶生长的晶体缺陷最少,1°与4°籽晶生长的晶体结晶质量相当,0°籽晶生长的晶体电学性能最均匀。