纳米Al_2O_3掺杂对Ce_(0.8)Y_(0.2)O_(2-δ)晶界离子电导的影响

研究了纳米A l2O3第2相掺杂对Ce0.8Y0.2O2-δ固体电解质晶界离子电导率的影响。结果发现,掺杂少量纳米A l2O3可降低固体电解质的晶界电导活化能,中低温下的晶界离子电导率显著上升。分析表明,掺杂第2相在晶界处的偏聚改善了晶界的离子导电通道结构,是导致晶界离子电导率上升的主要原因。