晶畴尺寸对聚合物分散液晶电光性能影响分析

聚合物分散液晶(PDLC)的透光率可以由电压和温度控制,并在显示领域取得了一定的应用。深入进行PDLC理论研究对扩大其应用具有积极意义。通过聚焦聚合引发相分离法(PIPS),研究实验过程变量对聚合体系显微结构的影响,量化聚合体系显微结构与电光性能的关系。综述了国内外关于晶畴尺寸对液晶膜电光性能(对比度、阈值电压、饱和电压)的影响,总结了PIPS法中主要过程变量,例如,固化条件(固化时间、紫外光强度等)、聚合物单体分子结构、纳米掺杂、液晶分子结构及物理参数(介电常数)等对膜材料形貌与电光性能的影响,推进液晶膜材料的更广泛研究与应用。

力调制技术在区分聚合物薄膜晶畴、非晶畴中的应用

聚合物材料多为半晶态 ,晶畴和非晶畴共存。采用扫描探针显微术的力调制技术 ,成功区分出聚合物薄膜P(VDF TrFE)中存在的弹性性质相差悬殊的两类畴 :高弹性畴和低弹性畴 ,并推测高弹性畴对应于P(VDF TrFE)的晶畴。由此可见 。

四川冕宁钙-铈氟碳酸盐矿物中的晶畴结构

用透射电子显微技术研究了四川冕宁霓石碱性花岗岩中的钙 铈氟碳酸盐矿物系列的晶畴结构 ,发现该系列矿物中的晶畴结构类型较为复杂 ,其中包括 :氟碳钙铈矿 (BS) 6R2 多型和B2 S规则混层结构 6R多型的 {0 0 0l}微双晶畴及B2 S 2H多型结构中的反相畴。反相畴是由于晶格沿 [0 0 0l]方向产生 0 .471nm的位移 ,即沿 {0 0 0l}面的层错引起。在混层结构的畴区内确定了B4S2 型规则混层结构的 3R新多型 ,并观察到有序混层结构中存在无序结构微畴及在无序结构中的有序混层结构微畴。

基于溶液法的金属诱导碟型晶畴多晶硅薄膜和薄膜晶体管的研究(英文)

以非晶硅为晶化前驱物,采用镍盐溶液浸沾的方法可以得到超大尺寸碟型晶畴结构的低温多晶硅薄膜。所得多晶硅薄膜的平均晶畴尺寸大约为50μm,空穴的最高霍尔迁移率为30 .8 cm2/V.s ,电子的最高霍尔迁移率为45 .6 cm2/V.s。用这种多晶硅薄膜为有源层,所得多晶硅TFT的场效应迁移率典型值为70 ～80 cm2/V.s ,亚阈值斜摆幅为1 .5 V/decade ,开关电流比为1 .01×107,开启电压为-8 .3 V。另外,P型的TFT在高栅偏压和热载流子偏压下具有良好的器件稳定性。

基于溶液法的规则排列连续晶畴的金属诱导多晶硅薄膜及薄膜晶体管(英文)

介绍了一种新的金属诱导多晶硅技术。该技术的核心是预设规则化晶核定位孔和镍源补充孔与溶液浸蘸技术的结合。以定位孔为晶化的起始点,晶化过程中消耗的镍可通过分布在周边的镍源补充孔中的镍给予补充。这样可以大大降低晶核定位孔中的初始镍量,使整个多晶硅薄膜中不存在明显的高镍含量区。即包括晶核定位孔、镍源补充孔在内的整个多晶硅薄膜区域内,能形成连续晶畴的多晶硅薄膜,都可作为高质量TFT的有源层。根据晶核定位孔分布形式的不同,可以设计成规则、重复的分布形式,获得正六边形的蜂巢晶体薄膜和准平行晶带晶体薄膜。这些规则形成的晶畴形状与尺寸相同,可准确地控制晶化的过程,具有晶化时间的高可控性和工艺过程的高稳定性,故而适合于工业化生产的要求。利用些技术,当温度为590 ℃时,可将晶化时间缩短至2 h之内。用这种多晶硅薄膜为有源层,所得多晶硅TFT的场效应迁移率典型值为～55 cm2/V.s ,亚阈值斜摆幅为0 .6 V/dec ,开关电流比为～1×107,开启电压为-3 V。

基于阈值分割的多晶硅晶畴检测方法

0引言晶畴的区域分割提取是利用数字图像实现多晶硅结晶度检测中的一项关键技术,其中阈值的自动选择是实现自动化检测结晶度的核心。针对多晶硅图像的特点,充分利用图像的直方图信息,通过结合双峰法与波形对称性分析首先得到阈值数以及阈值的初步取值,然后利用最大类间方差法精确确定阈值,再进行硅片图像分割。实验证明,这种方法结合了双峰法和最大类间方差法的优点,在对多晶硅图像进行晶畴分割提取时能够获得优良的检测效果并明显提高算法的效率,为实现工业在线自动检测奠定坚实的基础。

钙稀土氟碳酸盐矿物中的晶畴结构特征

钙稀土氟碳酸盐矿物中的晶畴结构特征＊孟大维１，２吴秀玲１，２李斗星２孟祥敏２（１．中国地质大学，武汉４３００７４２．中国科学院金属研究所固体原子像开放研究实验室，沈阳１１００１５）用电子衍射和高分辨电子显微像方法研究了钙稀土氟碳酸盐矿物中的晶畴结构特...

基底处理抑制成核生长大晶畴石墨烯的研究

电抛光及退火有效降低了铜箔表面的杂质及缺陷,将石墨烯成核密度降至约50个/cm2,制备了毫米尺寸晶畴的石墨烯连续膜。石墨烯连续膜中大部分区域是单层的,但有约20%的双/多层区域。电性能的测量结果表明,通过增大石墨烯晶畴尺寸提高石墨烯连续膜的电性能是可行的。

新材料BaLaB_9O_(16)的晶胞测定和孪晶畴分析

高硼酸盐BaLaB_9O_16是一种新型的稀土荧光粉基质材料。本文参照三维约化胞法,利用电子衍射图测定了其三斜晶胞参数,并从高分辨点阵象发现晶体呈现层状微孪晶畴结构。

聚酞菁硅(锗)氧烷高聚物中晶畴结构和新相的分子像

一、引言高分辨电子显微术的发展使我们有可能以接近原子尺度的分辨率来研究物质结构。过去,我们只能通过间接手段推测结晶物质晶胞中原子位置。而现在,我们竟能直接“看见”原子或原子集团。并且。

石墨烯的晶畴尺寸及其电学和热学性质调控研究获进展

晶界是化学气相沉积（CVD）方法制备的大面积石墨烯薄膜中普遍存在的缺陷。深入理解晶界对石墨烯的电学和热学性质的影响对发展基于石墨烯的电子、光电和热电器件具有重要意义。尽管目前对于单个晶界对石墨烯性质影响的研究较多,但宏观尺度上晶粒尺寸对石墨烯电学和热学性质的影响尚不清楚。

中科院上海微系统所制备出六方氮化硼单晶畴

中科院上海微系统所卢光远和吴天如等科研人员采用化学气相沉积（CVD）方法，成功在铜镍合金衬底上制备出单层高质量六方氮化硼（h—BN）单晶畴，单晶面积较之前文献报道高出约两个数量级。专家认为，该项研究进展为研发晶圆级h—BN、h—BN／石墨烯异质结和超结构奠定了重要实验基础。相关研究成果发表于《自然一通讯》期刊上。

中科院上海微系统所制备出六方氮化硼单晶畴

据《中国科学报》报道，1月25日，记者从中科院上海微系统所获悉，该所卢光远和吴天如等科研人员采用化学汽相沉积（CVD）方法，成功在铜镍合金衬底上制备出了单层高质量六方氮化硼（h-BN）单晶畴，其单品面积较之前文献报道的高出约两个数量级。专家认为，该项研究进展为研发晶圆级h—BN、h-BN／石墨烯异质结和超结构奠定了重要实验基础。相关研究成果已发表在《自然-通讯》期刊上。

中科院上海微系统所制备出六方氮化硼单晶畴展

从中科院上海微系统所获悉，该所卢光远和吴天如等科研人员采用化学气相沉积（CVD）方法，成功在铜镍合金衬底上制备出单层高质量六方氮化硼（h—BN）单晶畴，单晶面积较之前文献报道高出约两个数量级。专家认为，该项研究进展为研发晶圆级h—BN、h—BN／石墨烯异质结和超结构奠定了重要实验基础。相关研究成果发表于《自然一通讯》期刊上。

莱河矿的晶畴双晶构造及其结构的再研究

Domain twinning of Laihunite has been investigated based on diffraction phenomenon, and its erystal structure has then been refined. Spaee group with respect to the domain is P2/b, and cell parameters a=4.812, b = 10.211, c = 5.813(A), a=90.87° Atomic coordinate and bend length have been recalculated. Diseussions are given to the Fe^2+ distribution, lattice distortion, degree of order of Laihunite and the relationship of this mineral with fayalite and ferrifayalite. The authors still hold that Laihunite should be eonsidered a new silicate mineral with dominant Fe^3+ and less amount of Fe^2+.

RBa_2Cu_3O_(7-x)超导材料的孪晶畴与畴界

在高T_c氧化物超导材料中,有关(110)面的孪晶结构已有较多报道,并且证实这些呈孪晶畴的晶粒基本上是1:2:3的正交超导相。但是,对这些孪晶畴和它们所形成的畴界,在超导电性中究竟起何种作用,以及它们的大小、尺度分布情况等。

矿物中的晶畴结构类型

根据晶畴的性质和形成机理,可把矿物中的晶畴结构分为3类和若干亚类:1.成分与结构均一致的晶畴结构,包括反相畴结构、双晶畴结构、反演畴结构和平移-双晶畴结构;2.成分一致而结构不一致的晶畴结构;3.成分与结构均不一致的晶畴结构,包括由固溶体出溶和多体反应所形成的两类晶畴结构。由于不同类型晶畴结构的结晶学性质不同,所以它们的电子显微像特征和电子衍射花样亦不同。

富锂层状氧化物正极材料“可逆高氧活性”的研究进展

在当前已知的锂离子电池正极材料中,富锂层状氧化物的放电比容量高出传统正极材料将近一倍,因而被认为是开发新一代高能量密度电池的理想材料。它一般由Li_(2)MnO_(3)和LiTMO_(2)在纳米尺度上形成两种层状结构或固溶体,其充放电反应机制包括过渡金属活性和晶格氧活性,发挥可逆高氧活性直接决定着材料的放电比容量、循环稳定性等问题,材料的化学组成、微观结构、合成加工等关键因素直接控制着高氧活性的可逆性。本文详细地介绍了中国科学院宁波材料所近几年围绕富锂层状氧化物“可逆高氧活性”的研究进展。首先揭示了富锂锰基层状氧化物中不同元素氧框架结构基元的存在形式对氧活性的作用规律,其次探讨了不同维度的颗粒尺寸和晶畴尺寸对氧活性的影响机制,再次发展了优化体相结构及表面改性对氧活性的稳定性策略和提出了构筑体相无序结构抑制电压衰减的方法,最后探索构建了高比能富锂锰基电池新体系。这些研究结果为低成本、高容量富锂层状氧化物正极材料的设计制备和实际应用提供了理论支撑和方法指导。

YBa_2Cu_3O_(7-x)超导晶体的孪晶畴结构分析

已经确认YBa_2Cu_3O_(7-x)超导体的晶体结构属正交晶系,空间群为Pmmm,晶胞参数为a=3.893,b=3.820,c=11.688。这种材料经过从四方相到正交相的转变,形成具有高T_c的超导体。在超导晶体中普遍存在孪晶畴结构。本工作对这类孪晶畴结构进行了电镜观察和分析,并讨论了孪晶畴的形成及相变特征。

低温制备高质量六方氮化硼晶畴、薄膜及其在石墨烯基场效应晶体管中的应用（英文）

二维六方氮化硼是一种理想的石墨烯电学器件介电层材料,然而,制备低成本和高质量的氮化硼材料仍是一个挑战.本文使用等离子体化学气相沉积法, 500°C下在铜箔衬底上制备了三角形的BN晶畴及其薄膜.通过使用锡箔纸包裹原料的方法避免了残留原料在BN表面的沉积.当BN作为石墨烯场效应晶体管的介电层时,基于石墨烯的场效应器件空穴与电子的迁移率分别为10500和4750 cm2V^-1s^-1,明显优于在高温条件下制备的BN作为介电层的石墨烯器件,间接表明了该方法可得到高质量的BN.另外,本工作也揭示了氮化硼的质量对石墨烯场效应器件的性能至关重要.