激光烧蚀制备纳米Si晶粒尺寸均匀性与靶衬间距的关系

为了对纳米Si薄膜中晶粒尺寸的分布进行定量研究,首次提出“晶粒尺寸均匀度”的概念,并对Lowndes等人采用脉冲激光烧蚀方法制备纳米Si薄膜的实验结果进行了定量分析。结果表明,随着靶衬间距的增大,晶粒尺寸均匀度先减小后增大,也就是说,存在靶衬间距的最佳值,使所制备的纳米Si晶粒的尺寸均匀性最好。MonteCarlo模拟结果对这一结论进行了解释。

TC4-DT钛合金两种不同预处理状态下的β晶粒等温长大动力学(英文)

研究了具有初始等轴组织的TC4-DT钛合金在变形和未变形的状态下在β单相区等温加热时的晶粒长大动力学。变形在两相区进行,变形程度为60%,变形后空冷。加热温度分别选取相变点以上10、20、30℃,保温时分别为2、5、10、30、60、120 min。利用金相分析软件对晶粒尺寸进行了定量测定并分析获得了两种条件下的晶粒生长的时间指数和激活能。未变形试样的晶粒生长的时间指数和激活的变化范围分别是0.34~0.35和86.8~130 kJ·mol-1,在变形条件下变为0.36~0.39和76.6~110 kJ·mol-1。研究结果表明在相同的加热条件下,变形试样具有较高的晶粒生长指数和较低的生长激活能。这是因为晶粒生长时间指数随温度的变化和生长激活能随时间的变化与固溶原子的扩散和晶界的迁移的交互作用有关,而变形可以促进原子的扩散和晶界的迁移。另外还研究了在不同的加热温度、时间以及变形条件下晶粒尺寸的均匀度的变化情况,这种变化是β相的形核速率和生长速率在上述因素的影响下共同作用的结果。