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畸变对hopping电导的影响:Thue-Morse纳米结构模型 被引量：2
1
作者 缪智武 丁建文 +1 位作者 颜晓红 唐娜斯 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期1213-1217,共5页
发展实空间重正化群方法 ,研究了一维非周期Thue Morse纳米结构链的hopping电导率 .计算表明Thue Morse纳米结构体系的晶粒种类、晶粒尺寸对hopping电导有显著的调制作用 ,界面结构和晶格畸变对hopping电导也有不同程度的影响 .从无序度... 发展实空间重正化群方法 ,研究了一维非周期Thue Morse纳米结构链的hopping电导率 .计算表明Thue Morse纳米结构体系的晶粒种类、晶粒尺寸对hopping电导有显著的调制作用 ,界面结构和晶格畸变对hopping电导也有不同程度的影响 .从无序度对hopping电导的影响来看 ,Thue 展开更多
关键词 晶格畸变 hopping电导 Thue-Morse纳米结构模型 实空间重正化群方法 晶粒种类 晶粒尺寸 界面结构 一维非周期Thue-Morse纳米结构链
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