X衍射法分析CVD制备SnO_2多晶膜的构成及其对气敏特性的影响

通过Ｘ光衍射图分析，确认了较低温度下ＣＶＤ法生长的非掺杂ＳｎＯ２晶膜含有较多的偏离ＳｎＯ２配位的晶体成份，从而定性地解释了该晶膜具有较高的气体敏感度的现象。