六硝基茋的晶体结构及形貌模拟

培养得到六硝基茋(HNS)晶体,应用X-射线单晶衍射法测定了其晶体结构。结果表明,晶体属于单斜晶系P2(1)/c空间群,晶胞参数为a=2.198(2)nm,b=0.5528(5)nm,c=1.4663(13)nm,β=108.632(9)°,V=1.688nm3;Dc=1.771g/cm3;Z=4。将这些数据应用到Material Studio程序中的Morphology模块,计算模拟了六硝基茋3种可能存在的晶体形态,得到特定晶面的面积、附着能、表面能及晶面相对生长速率等参数。通过分析主要晶面的结构和相对生长速率对晶形的影响,得出选择官能团中含有活泼H原子和O原子的表面活性剂可更有效地控制六硝基茋晶体的形态。

TATB晶体形貌的计算模拟

利用Materials Studio中Morphology模块所含的BFDH、Growth和Equilibrium morphology的3种方法计算了TATB的晶体形态和结晶习性,得到特定晶面的面积、附着能、表面能及晶面相对生长速率等参数,分析了重要晶面的结构、晶体的生长习性和晶面结构与晶形控制剂的关系。结果表明,选择官能团中含有活泼H原子和O原子的表面活性剂,可更有效地控制TATB晶体的形态。

BFO/SNTO/SiO_2/Si薄膜的制备及性能分析

以无机盐为原料,采用改进型溶胶-凝胶法在SNTO(SrNb_(0.05)Ti_(0.95)O_3)/SiO_2/Si底电极上制备了BFO(BiFeO_3)薄膜;然后经550、600℃退火30 min后,得到BFO薄膜产品。研究结果表明:该电极上形成的BFO薄膜都呈现R3m(BaC_2高压相)三方钙钛矿多晶结构,并具有(100)晶格取向,没有观察到不纯相;构成BFO薄膜的(100)、(110)晶面间距约为0.39、0.28 nm;经550、600℃退火处理后,该薄膜具有较大的2P_r(剩余极化强度),在250 kV/cm测试电场作用下,其2P_r分别为40.43、48.31μC/cm^2,矫顽场分别为104、118 kV/cm;在300 kV/cm测试电场作用下,两者的漏电电流密度分别为10^(-5)、10^(-4)A/cm^2;在整个测试频率范围内,薄膜具有相对较小的介电损耗因子。

二种求算晶体平面间距d_(hkl)的数学方法

用数学方法推导出结构化学晶体学中晶面间距的一般通式,并在此基础上推导出其他晶系的晶面间距(d(hkl))的计算表达式。