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TCD132D线阵CCD总剂量效应的实验分析
被引量:
7
1
作者
王祖军
张勇
+5 位作者
唐本奇
肖志刚
黄绍艳
刘敏波
陈伟
刘以农
《电子器件》
CAS
2010年第1期18-21,共4页
研究了60Coγ辐照TCD132D线阵CCD的总剂量效应实验结果;分析了CCD受总剂量效应影响后暗信号和饱和输出电压的典型波形;得出了CCD分别在不加偏置电压、加偏置电压加驱动信号和加偏置电压不加驱动信号三种工作状态下,受60Coγ辐照后暗信...
研究了60Coγ辐照TCD132D线阵CCD的总剂量效应实验结果;分析了CCD受总剂量效应影响后暗信号和饱和输出电压的典型波形;得出了CCD分别在不加偏置电压、加偏置电压加驱动信号和加偏置电压不加驱动信号三种工作状态下,受60Coγ辐照后暗信号电压和饱和输出电压随总剂量累积的变化规律,并进行了损伤机理分析。
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关键词
线阵CCD
总剂量效应
暗信号电压
饱和输出
电压
辐照损伤机理
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职称材料
题名
TCD132D线阵CCD总剂量效应的实验分析
被引量:
7
1
作者
王祖军
张勇
唐本奇
肖志刚
黄绍艳
刘敏波
陈伟
刘以农
机构
清华大学工程物理系粒子技术与辐射成像教育部重点实验室
西北核技术研究所
出处
《电子器件》
CAS
2010年第1期18-21,共4页
文摘
研究了60Coγ辐照TCD132D线阵CCD的总剂量效应实验结果;分析了CCD受总剂量效应影响后暗信号和饱和输出电压的典型波形;得出了CCD分别在不加偏置电压、加偏置电压加驱动信号和加偏置电压不加驱动信号三种工作状态下,受60Coγ辐照后暗信号电压和饱和输出电压随总剂量累积的变化规律,并进行了损伤机理分析。
关键词
线阵CCD
总剂量效应
暗信号电压
饱和输出
电压
辐照损伤机理
Keywords
linear CCD
total dose effects
dark signal voltage
saturation output voltage
radiation damage mechanism
分类号
O605 [理学—化学]
TN386.5 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
TCD132D线阵CCD总剂量效应的实验分析
王祖军
张勇
唐本奇
肖志刚
黄绍艳
刘敏波
陈伟
刘以农
《电子器件》
CAS
2010
7
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职称材料
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参考文献
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