暗培养温度对吉塞拉6号离体新梢生根的影响

以在增殖培养基上生长3～4周的甜樱桃矮化砧木吉塞拉6号离体新梢为试材，研究20℃、25℃、30℃和35℃条件下暗培养后离体新梢的生根状况。结果表明，在黑暗诱导生根阶段，20℃效果最好；其次为25℃和30℃，35℃会抑制生根。30℃最有利于根的生长，25℃和35℃次之，20℃根的生长速度最慢。