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异面结构雪崩GaAs光导开关的制备及特性测试
1
作者
杨迎香
杨向红
+3 位作者
朱章杰
黄嘉
李昕
胡龙
《强激光与粒子束》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第11期37-41,共5页
雪崩砷化镓光导开关(PCSS)因其超快开关速度、低触发抖动、光电隔离、高功率容量、高重复频率以及器件结构灵活的特点,得到广泛应用。制备封装了电极间隙为5 mm的异面结构GaAs光导开关,对不同偏置电场下(36~76 kV/cm)开关的暗态和开态...
雪崩砷化镓光导开关(PCSS)因其超快开关速度、低触发抖动、光电隔离、高功率容量、高重复频率以及器件结构灵活的特点,得到广泛应用。制备封装了电极间隙为5 mm的异面结构GaAs光导开关,对不同偏置电场下(36~76 kV/cm)开关的暗态和开态的电学特性进行了测试分析,结果表明其具有百皮秒~纳秒量级的上升沿、低暗态泄漏电流(0.15~6.61μA)、高耐压(18~38 kV)的特点。实验探究了开关工作次数与输出电压峰值的关系,结果表明随着工作次数的增大,输出电压幅值呈台阶型降低趋势,在20 kV、2 Hz条件下,开关寿命达4.0×10^(4)次。
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关键词
砷化镓
光导开关
暗态泄漏电流
输出特性
寿命
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职称材料
题名
异面结构雪崩GaAs光导开关的制备及特性测试
1
作者
杨迎香
杨向红
朱章杰
黄嘉
李昕
胡龙
机构
西安交通大学微电子学院
西安交通大学电子信息工程学院
出处
《强激光与粒子束》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第11期37-41,共5页
基金
国家自然科学基金面上项目(52177156)
脉冲功率激光技术国家重点实验室开放基金项目(SKL2021KF05)。
文摘
雪崩砷化镓光导开关(PCSS)因其超快开关速度、低触发抖动、光电隔离、高功率容量、高重复频率以及器件结构灵活的特点,得到广泛应用。制备封装了电极间隙为5 mm的异面结构GaAs光导开关,对不同偏置电场下(36~76 kV/cm)开关的暗态和开态的电学特性进行了测试分析,结果表明其具有百皮秒~纳秒量级的上升沿、低暗态泄漏电流(0.15~6.61μA)、高耐压(18~38 kV)的特点。实验探究了开关工作次数与输出电压峰值的关系,结果表明随着工作次数的增大,输出电压幅值呈台阶型降低趋势,在20 kV、2 Hz条件下,开关寿命达4.0×10^(4)次。
关键词
砷化镓
光导开关
暗态泄漏电流
输出特性
寿命
Keywords
gallium arsenide
photoconductive semiconductor switches
dark-state leakage current
output electrical characteristics
lifetime
分类号
TN36 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
异面结构雪崩GaAs光导开关的制备及特性测试
杨迎香
杨向红
朱章杰
黄嘉
李昕
胡龙
《强激光与粒子束》
CAS
CSCD
北大核心
2024
0
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职称材料
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