基于任务映射的暗硅芯片功耗预算方法

暗硅系统功耗预算问题可被归类为一种NP-hard问题,针对其存在的提高芯片均温与降低通信成本2个对立优化目标,提出了一种基于任务映射的暗硅芯片功耗预算方法。为降低计算复杂度,基于率先映射高通信量并对后续映射影响较小的任务的规则建立模型,将任务图转换为最大生成树的形式,以优先级值的大小决定任务进行映射的先后顺序。在稳态情况下逐个进行核心寻优,将排序后的任务放置于合适的核心位置,并以凸二次规划问题形式对已确定映射核心位置的功耗预算进行求解。实验表明:针对12开启核心的36核心系统,与经典的热安全功耗预算方法相比,所提方法将总功耗预算提高了11.8%,通信能耗降低了38.2%。

暗硅多核系统芯片资源调度算法

芯片集成度的提升芯片带来功耗密度的增加,引起芯片的过热问题.近年来,人们提出暗硅设计的概念,有选择地关闭部分工作模块,避免芯片上所有模块同时处于开启状态,以解决过热问题.为此,提出一种基于模拟退火的多核系统资源调度算法.针对具体的应用采用迭代方法调整热设计功耗约束、分配处理器资源,并确定芯片模块的开启和关闭,在保证系统吞吐的同时,有效地解决芯片的过热问题.首先,针对已知应用集,在热设计功耗和系统约束下通过动态规划为每个应用配置处理器数目和频率等级.其次,基于模拟退火算法以散热效果和通信延迟为目标完成应用映射,确定开启和关闭的处理器.最后,根据有无过热点的反馈,迭代地调整热设计功耗大小,获得系统最大热设计功耗,并据此获得应用的最终资源配置和映射结果.所提调度方法能够有效地避免过热点,在资源约束下最优化系统性能.实验结果表明,相比于棋盘式布局,系统最高温度能够降低3%,相比开关调整过热点的方法,系统吞吐量能够最大增加约12%.

Deposition of p-Type Microcrystalline Silicon Film and Its Application in Microcrystalline Silicon Solar Cells

Highly conductive boron-doped hydrogenated microcrystalline silicon （μc-Si： H） films and solar cells are pre- pared by plasma enhanced chemical vapour deposition （PECVD）. The effects of diborane concentration, thickness and substrate temperature on the growth and properties of B-doped layers and the performance of solar cells with high deposited rate i-layers are investigated. With the optimum p-layer deposition parameters, a higher efficiency of 5.5% is obtained with 0.78nm/s deposited i-layers. In addition, the carriers transport mechanism of p-type μc-Si： H films is discussed.