直角坐标激光直写的动态曝光模型

在兼顾胶层的光吸收特性、直写光束的高斯分布特征以及直写光束与胶层相对运动的情况下,建立了直角坐标激光直写的动态曝光模型以有效预测线条的线宽和侧壁角。仿真实验表明:以恒值高斯光强曝光时,该模型与等效仿真条件下的Dill曝光模型仿真结果完全一致,进一步证明了该模型的有效性和正确性,解决了目前在激光直写中存在的只能预测线宽或在忽略光刻胶吸收作用的情况下粗略估计直写线条轮廓的问题。同时,基于该模型分别分析了直写光功率和直写速度对线条轮廓的影响机理,为优化激光直写工艺的加工参量提供了一种有效的分析途径。

用改进曝光模型模拟厚胶显影轮廓

考虑厚胶曝光过程中非线性因素的影响及其显影特点,用一套随抗蚀剂厚度发生变化的曝光参数改进的Dill曝光模型,仿真厚层抗蚀剂光刻过程,并比较新曝光模型与原有Dill模型模拟的结果差异。模拟显示,用新曝光模型获得的厚抗蚀剂显影轮廓与实验结果吻合较好;并对厚胶光刻成像机理进行了讨论。通过分析正性厚层抗蚀剂AZ4562的显影轮廓,给出其显影线宽及边墙陡度随显影时间的变化规律,提出应以获得最大边墙陡度作为优化显影时间的思想。对厚度5μm和15μm的抗蚀剂,经计算,可获得良好的抗蚀剂浮雕轮廓的优化显影时间分别为98s和208s。

基于DILL模型的SU8厚胶曝光仿真

基于DILL经典曝光模型,对其分别在深度轴和时间轴上进行扩展:在深度轴上,以基尔霍夫衍射公式为基础,引入复折射率,利用光束传输法的思想计算了某曝光时刻下胶体内部的光场分布;在时间轴上,分析SU8光刻胶的特点及曝光反应过程,建立合适的光交联反应动力学模型,计算不同曝光时刻下的光场分布。通过整个曝光模型的建立,最终给出一定曝光时间后的光场分布;结果表明,在曝光阶段,胶内深层光场整体分布随时间变化不大,曝光时间对曝光阶段光场分布的影响较小,这种影响将在后烘阶段得以放大。

抗蚀剂AZ4562曝光参数的变化趋势分析

针对厚胶曝光参数随不同光刻胶厚度及工艺条件变化的特点,在原有Dill曝光模型基础上,建立了适合于描述厚胶曝光过程的增强Dill模型,并将统计分析的趋势面法引入到厚胶曝光参数变化规律的研究中,给出了厚胶AZ4562曝光参数随胶厚及工艺条件的变化趋势,为开展厚胶光刻实验研究和曝光过程模拟提供指导性依据。

竞争情报实践中道德问题的解决模型

道德问题是竞争情报实践中的一个重要问题。本文详细介绍了国外在竞争情报实践中解决道德问题的三个重要模型,分别是CHIP模型、伦理维度模型和当众曝光测试模型,并在此基础上提出我国竞争情报界应从个人、企业、行业和竞争情报职业这四个层面来构建竞争情报实践中的道德准则。

消费型倾斜无人机高精度三维模型重建研究

针对多镜头测绘级无人机构建实景三维模型价格昂贵、技术门槛较高等问题,提出消费型倾斜无人机高精度三维模型构建方法。该方法利用消费型无人机结合倾斜摄像相机采集多视影像数据,分别探讨了针对多视影像数据特点的影像匹配方法、引入曝光延迟模型的光束法区域平差算法以提高多视影像的定位信息以及实景三维构建等关键技术;最后,通过实际工程验证了该方法的可行性,为小区域高精度的实景三维模型构建提供一种思路。

全息光栅非对称曝光显影的理论模拟及实时监测

两束记录光非对称入射必然造成光刻胶中潜像光栅"沟槽"的倾斜,进而影响显影后光栅沟槽的形状。特别是在凹面全息光栅的制作中,两束记录光一般都是非对称入射。为了能够从理论上分析并指导非对称全息光栅的制作,建立了非对称曝光、显影理论模型,重点分析了两束记录光从光栅表面一侧照射的情况。运用此模型模拟了光栅沟槽的形成过程,计算了全息光栅制作中非对称曝光、显影的实时监测曲线。理论计算显示,非对称曝光下,曝光实时监测曲线和显影实时监测曲线变化趋势与对称曝光时相同,只是衍射效率值不同,这与实验结果吻合;数值模拟光栅沟槽的演化发现,非线性效应特别显著时得到的沟槽为倾斜矩形,非线性效应比较显著时得到的沟槽为非对称梯形,非线性效应受到抑制时得到的沟槽为非对称性不明显的正弦形,这与实验结果一致。该模型能够有效地指导全息光栅掩模的制作,有助于为离子束刻蚀工艺提供所需的合格掩模。

扫描干涉场曝光中光栅掩模槽形轮廓的预测

根据扫描干涉场曝光的特点,针对光刻胶层内曝光量的驻波效应,建立了动态曝光模型。基于快速推进法建立了显影模型,得到了光栅掩模槽形的演变规律。为减弱驻波效应的影响,提出了一种抗反射层最优厚度的设计方法。仿真结果表明,建立的曝光和显影模型能有效预测光栅掩模的槽形轮廓,同时可优化抗反射膜的厚度。

伺服图形预刻机亚微米光斑曝光技术

本文讨论利用激光器产生亚微米光斑、在涂有光刻胶的磁盘上曝光的有关技术．给出了伺服图形预（光）刻机的系统结构、光路及刻录头设计，提出了伺服图形微斑记录曝光模型．

全息光栅制作中的实时潜像自监测技术

介绍了一种实时监测全息光栅曝光过程的新方法。在曝光过程中 ,光刻胶折射率的空间分布发生微小变化 ,由此形成的潜像光栅同时对记录光束产生衍射 (自衍射 ) ,探测一个非零级次的衍射强度的变化就可对曝光过程实时监测。实验证明 ,这种技术能灵敏、客观地探测出样片之间由于个性差异所导致的最佳曝光量的漂移 ,制作者可以借此对曝光时间做实时补偿。发现自监测曲线之线性区的末端存在着一个明显的最佳曝光参考点 ,紧接其后是一个最佳曝光可选择区。采用了一个曝光模型 ,其模拟结果和实验中得到的自监测曲线能很好地吻合。理论分析证实 ,根据实时监测曲线的相对幅值来优化最佳曝光量的方法是很合理的 ,这种实时自监测是一种非常简单、能有效控制曝光量的技术。