等离子显示屏制作中曝光间隙对图形结果的影响

在等离子显示屏制作中，采用平行光进行曝光，曝光时母版和玻璃基板的间隙对图形结果有一定的影响。本文以实例分析论述了曝光间隙对线条图形的具体影响，对等离子显示屏设计时的参数修正有一定的参考意义．

一种深腔内图形制作的光刻方法

针对半球陀螺在研制流片时遇到的深腔内光刻难题，在现有条件下开展了深腔内光刻工艺实验。实验中将曝光间隙类比深腔深度，利用现有条件开展一系列实验。最终得出：在400～600μm曝光间隙内，采用现有光刻机进行深腔光刻工艺制作时，掩膜图形转移尺寸与曝光量有关，与曝光间隙没有明显关系。实验得出的工艺参数已经应用到半球陀螺项目的制作。

步进式旋转光刻制备柱面微结构光栅模具

相对于常规光栅制造方法 (如机械刻划和光学曝光等工艺)而言,连续辊压印技术更易实现低成本、连续和高效的大面积制造。高精度栅结构辊压印圆柱辊模具的制备工艺技术是连续辊压印技术实现高精度光栅复制的关键技术。针对这一问题提出了一种步进式旋转光刻工艺路线,将小区域的微结构光栅掩模通过步进式拼接曝光方式实现模具表面整周完整光栅的曝光。区别于传统平面曝光过程,筒形模具曲面曝光采用步进式旋转光刻工艺,其关键技术是:搭建高步进精度的旋转曝光工艺实验平台、解决筒形模具外径及光栅周期匹配问题和优化接近式拼接曝光工艺中的曝光间隙。通过理论分析和实验验证,得出了优化的步进旋转角度、筒形模具外径、光栅周期和接近式曝光间隙的条件,通过此工艺完成了柱面模具表面周期为20μm级的光栅结构的制备,为采用辊压印技术实现低成本、连续和高效大面积光栅制造创造了有利条件。

高效率X射线光刻在单级光栅研制中的应用

为了满足单级衍射光栅的应用需求,在器件研制中对X射线光刻的关键技术进行优化,克服了曝光中图形畸变的问题,并利用同步辐射光源对单级衍射光栅进行了高效率的批量复制。通过对X射线光谱成分进行模拟,在X射线束线中插入铬反射镜和氮化硅滤片,得到了能量范围为0.5~2 keV的大面积均匀光斑;根据具体情况对掩模图形进行+5^+35 nm的校正,克服了X射线曝光图形扩展的问题;通过控制掩模与基片软接触产生的莫尔条纹,使曝光间隙降到3μm以下,保证了稳定的曝光结果与高分辨率;所制备的多种单级衍射光栅图形结构复杂,具有纳米尺度特征线宽,剖面陡直,满足单级衍射光栅设计对纳米加工技术的苛刻要求。

大面积液晶面板光刻机新型工作台设计

论述曝光面积可达３３５．６ｍｍ×３５５．６ｍｍ（４″×１４″），套刻精度为±２μｍ，接近式（０～２５μｍ）液晶面版光刻机的新型工作台设计。