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浓香型大曲曲外层和曲心的差异研究 被引量:10
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作者 任道群 唐玉明 +3 位作者 姚万春 廖建民 陈靖余 李淑容 《酿酒科技》 1997年第6期13-14,共2页
研究、试验了浓香型大曲的曲外层和曲心的微生物分布,酿酒的产质量情况,结果表明,曲心所产酒的质量和数量均优于曲外层。(陆月霜)
关键词 浓香型大 曲外层 微生物 酿酒
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邵阳大曲制曲过程曲外层和曲心微生物消长的研究
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作者 汤向阳 余有贵 《邵阳高专学报》 1996年第1期71-74,共4页
研究了邵阳大曲在制作过程中,曲外层和曲心几类主要微生物的消长情况,结果表明:曲外层的霉菌和酵母菌数量始终明显高于曲心,细菌数在前、中期曲外层多于曲心,后期两者接近,且细菌数较同类型名酒曲偏高。
关键词 中温 曲外层 微生物消长规律
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Characterization of GaN Buffer Layers and Its Epitaxial Layers Grown by MOCVD 被引量:2
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作者 LIU Bao lin (Dept. of Phys., Xiamen University, Xiamen 361005, CHN) 《Semiconductor Photonics and Technology》 CAS 2002年第1期9-13,共5页
Low pressure MOCVD has been used to investigate the properties of low temperature buffer layer deposition conditions and their influence on the properties of high temperature GaN epilayers grown subsequently. It is fo... Low pressure MOCVD has been used to investigate the properties of low temperature buffer layer deposition conditions and their influence on the properties of high temperature GaN epilayers grown subsequently. It is found that the surface morphology of the as grown buffer layer after thermal annealing at 1 030 ℃ and 1 050 ℃ depends strongly on the thickness of the buffer layer. In particular when a thick buffer layer is used, large trapezoidal nuclei are formed after annealing. 展开更多
关键词 MOCVD GAN Buffer layer EPILAYER CHARACTERISTICS
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