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基于线性曲率校正技术的低电压带隙基准源设计 被引量:5
1
作者 代国定 王悬 +2 位作者 虞峰 徐洋 李卫敏 《电子器件》 CAS 2009年第5期897-900,共4页
采用电流求和取代传统电压求和的方法设计了一款低基准电压输出的带隙基准电压源电路,同时提出一种线性化P-N结正向导通电压(VBE)的温度曲率校正技术,保证了基准电压的低温漂和高精度。整个电路采用TSMC0.6μmBCD工艺设计实现,芯片面积... 采用电流求和取代传统电压求和的方法设计了一款低基准电压输出的带隙基准电压源电路,同时提出一种线性化P-N结正向导通电压(VBE)的温度曲率校正技术,保证了基准电压的低温漂和高精度。整个电路采用TSMC0.6μmBCD工艺设计实现,芯片面积为0.2mm2。在Cadence环境下使用Spectre对电路进行了模拟仿真,仿真结果表明:该基准电路可在低至1.1V的电源电压下正常工作;在-20℃~120℃温度范围内,温度系数为9.1×10-6/℃,PSRR为-78dB。在典型的1.5V电源电压下,基准输出电压可调节范围为0.165~1.25V。 展开更多
关键词 低电压 带隙基准电压 线性曲率校正
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一种低压I_(PTAT)~2曲率校正CMOS带隙基准源的设计 被引量:3
2
作者 肖明 吴玉广 何凤琴 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2007年第3期85-87,共3页
基于Chrt 0.35μmCMOS工艺,采用一级温度补偿电压作为温度曲率校正电压,设计了一个类似IP2TAT电流产生电路,获得了一个电路结构简单,性能更佳的带隙基准源。经过Hspice仿真,仿真结果表明电路可以在-10-110范围内,平均温度系数约6ppm/℃... 基于Chrt 0.35μmCMOS工艺,采用一级温度补偿电压作为温度曲率校正电压,设计了一个类似IP2TAT电流产生电路,获得了一个电路结构简单,性能更佳的带隙基准源。经过Hspice仿真,仿真结果表明电路可以在-10-110范围内,平均温度系数约6ppm/℃,最低工作电压为1V左右,获得了一个高性能的带隙基准电压源。该带隙基准源可应用于高精度模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)和系统集成芯片(SOC)中。 展开更多
关键词 带隙基准源 曲率校正 温度系数
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一种低压分段线性曲率校正CMOS带隙基准源设计 被引量:4
3
作者 陈涛 胡利志 乔明 《电子与封装》 2014年第9期36-39,共4页
在传统低压带隙基准的基础上,通过设计与热力学温度成正比的电流(IPTAT)及与热力学温度呈互补关系的电流(ICTAT),实现节点电流相减,从而产生分段线性电流作为基准源的曲率校正分量,设计了一个性能更佳的曲率校正带隙基准。电路采用... 在传统低压带隙基准的基础上,通过设计与热力学温度成正比的电流(IPTAT)及与热力学温度呈互补关系的电流(ICTAT),实现节点电流相减,从而产生分段线性电流作为基准源的曲率校正分量,设计了一个性能更佳的曲率校正带隙基准。电路采用低压运放及低压PTAT电流产生模块,工作电压低。Cadence仿真结果显示,在-40~125℃温度范围内,平均温度系数大约3×10^-6℃-1,最低工作电压在1 V左右,可用于低电源电压、高精度的集成芯片。 展开更多
关键词 带隙基准 曲率校正 温度系数
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一种CMOS能隙电压参考源的温度曲率校正设计
4
作者 薛庆华 周玉梅 《河北工业大学学报》 CAS 2003年第3期5-8,共4页
介绍了能隙电压源温度曲率校正的概念与原理,设计了一个CMOS工艺的高温校正的电流模式的能隙电压源。电路没有采用运算放大器,从而使设计得到了简化。采用2μmp阱CMOS工艺模型模拟分析,可以发现该参考源在0℃~100℃温度范围内有较好的... 介绍了能隙电压源温度曲率校正的概念与原理,设计了一个CMOS工艺的高温校正的电流模式的能隙电压源。电路没有采用运算放大器,从而使设计得到了简化。采用2μmp阱CMOS工艺模型模拟分析,可以发现该参考源在0℃~100℃温度范围内有较好的温度特性。 展开更多
关键词 CMOS工艺 能隙电压源 曲率校正 温度系数 硅的带隙电压
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一种结构新颖的曲率校正带隙基准电压源
5
作者 董大伟 吴玉广 居耀良 《微计算机信息》 北大核心 2007年第05S期252-254,共3页
基于0.35umCMOS标准工艺,采用一种结构新颖的温度曲率校正电路作为一级温度补偿电路的曲率校正电路,与传统的曲率校正电路相比具有更稳定的输出电压和更低的平均温度系数。经过Hspice仿真,结果表明:电压源在温度-20-120范围内,平均温度... 基于0.35umCMOS标准工艺,采用一种结构新颖的温度曲率校正电路作为一级温度补偿电路的曲率校正电路,与传统的曲率校正电路相比具有更稳定的输出电压和更低的平均温度系数。经过Hspice仿真,结果表明:电压源在温度-20-120范围内,平均温度系数(TC)约1.7ppm/oC;工作电压约1.4V,获得了一个低压高精度的带隙基准电压源。该带隙基准源可应用于高精度模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)和系统集成芯片(SOC)中。 展开更多
关键词 带隙基准源 曲率校正 温度系数 I2PTAT VPTAT
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一种低压曲率校正带隙基准电压源
6
作者 董大伟 吴玉广 肖明 《微计算机信息》 北大核心 2007年第03S期244-246,共3页
基于标准0.6umCMOS工艺,设计依据在亚阈值区工作的一阶温度补偿电路,采用VPTAT电压驱动曲率校正电路,对一阶温度补偿电路进行高阶温度补偿,获得了一种电路结构简单,性能较好的带隙基准源。经过Hspice仿真,仿真结果表明电路可以在-10-15... 基于标准0.6umCMOS工艺,设计依据在亚阈值区工作的一阶温度补偿电路,采用VPTAT电压驱动曲率校正电路,对一阶温度补偿电路进行高阶温度补偿,获得了一种电路结构简单,性能较好的带隙基准源。经过Hspice仿真,仿真结果表明电路可以在-10-150范围内,平均温度系数约9.9ppm/oC;工作电压为1.4V。该带隙基准源可应用于高精度模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)和系统集成芯片(SOC)中。 展开更多
关键词 带隙基准源 曲率校正 温度系数 VPTAT
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高精度分段曲率校正CMOS带隙基准的设计 被引量:6
7
作者 张春茗 邵志标 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期2193-2197,共5页
本文提出了一种新颖的分段曲率校正技术,未增加额外掩模,在标准CMOS工艺条件下就可简单实现曲率校正,使带隙基准的温度系数减少约十倍.这种方法可应用到任何一种工艺获得非线性补偿.在SMIC 0.18μm CMOS的工艺条件下,设计了一种高精度... 本文提出了一种新颖的分段曲率校正技术,未增加额外掩模,在标准CMOS工艺条件下就可简单实现曲率校正,使带隙基准的温度系数减少约十倍.这种方法可应用到任何一种工艺获得非线性补偿.在SMIC 0.18μm CMOS的工艺条件下,设计了一种高精度分段曲率校正全差分带隙基准.模拟结果表明输出差分参考电压为1.9997V,输出噪声电压为225nV/Hz^(1/2),电源抑制比为98dB.并在CSMS0.5μm混合信号工艺条件下,高精度分段曲率校正单端带隙基准嵌入到单片100MHz PWM控制BUCK DC-DC转换器中提供参考电压,测试结果表明参考电压为1.2501V,输出噪声电压为670nV Hz^(1/2),电源抑制比为66.7dB,温度系数为2.7ppm/℃提高了6倍.本设计采用电流形式,因而通过改变参数,可使输出差分或单端参考电压小于1V,适合低压低功耗的便携式设备. 展开更多
关键词 曲率校正 带隙基准 低噪声 非线性补偿 微调
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CMOS带隙基准电压源中的曲率校正方法 被引量:3
8
作者 史侃俊 许维胜 余有灵 《现代电子技术》 2006年第5期113-116,共4页
基准电压源是集成电路系统中一个非常重要的构成单元。结合近年来的设计经验,首先给出了带隙基准源曲率产生的主要原因,而后介绍了在高性能CMOS带隙基准电压源中所广泛采用的几种曲率校正方法。给出并分析了一些近年来采用曲率校正方法... 基准电压源是集成电路系统中一个非常重要的构成单元。结合近年来的设计经验,首先给出了带隙基准源曲率产生的主要原因,而后介绍了在高性能CMOS带隙基准电压源中所广泛采用的几种曲率校正方法。给出并分析了一些近年来采用曲率校正方法的CMOS带隙基准电压源核心电路以及他们的设计原理、理论推导、参考电路和特点。最后,对于所讨论的基准源电路进行了性能比较和优缺点分析。 展开更多
关键词 CMOS 带隙基准源 曲率校正 集成电路
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一种实用的带隙参考电压源曲率校正方法
9
作者 柏晓鹤 陆铁军 胡贵才 《机电产品开发与创新》 2007年第3期124-126,共3页
在对传统双极型晶体管带隙电压基准源电路的分析和总结基础上,提出了一种对双极型带隙参考电压源进行曲率校正的实用电路结构,这种电路结构通过在适当温度下引入具有正温度系数的因子来遏制温度系数持续下降的趋势,使电路在工作区域可... 在对传统双极型晶体管带隙电压基准源电路的分析和总结基础上,提出了一种对双极型带隙参考电压源进行曲率校正的实用电路结构,这种电路结构通过在适当温度下引入具有正温度系数的因子来遏制温度系数持续下降的趋势,使电路在工作区域可取得很好的曲率校正效果。仿真结果表明,本电路结构实现了在整个工作温度范围内(-40℃~120℃)电压的变化只有0.001V。 展开更多
关键词 带隙参考电压源 温度系数 曲率校正
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平均比热容的曲率校正
10
作者 李福学 夏永健 《计量技术》 1989年第2期1-2,20,共3页
迄今为止,人们实验测定的物质比热容都是平均比热容。它与热力学定义的真比热容的差值在量热学中称为曲率误差。为了得到物质的真比热容值,通常需要对平均比热容进行曲率校正。本文根据平均比热容与真比热容的关系式,提出了真比热容的... 迄今为止,人们实验测定的物质比热容都是平均比热容。它与热力学定义的真比热容的差值在量热学中称为曲率误差。为了得到物质的真比热容值,通常需要对平均比热容进行曲率校正。本文根据平均比热容与真比热容的关系式,提出了真比热容的一种计算方法,比过去常用的曲率校正方法得到更为合理的结果。 展开更多
关键词 热学 平均比热容 曲率校正
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高阶分段非线性曲率校正带隙基准源 被引量:3
11
作者 李景虎 张兴宝 +1 位作者 周斌 沙学军 《华中科技大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期20-23,共4页
提出了一种高阶分段非线性曲率校正带隙基准源,其特征在于在传统一阶带隙基准源上增加了两条支路电流.在低温段,曲率校正电路从一阶基准源输出支路抽取电流,降低其输出的正温度系数;在高温段,曲率校正电路向一阶基准源注入电流,对其负... 提出了一种高阶分段非线性曲率校正带隙基准源,其特征在于在传统一阶带隙基准源上增加了两条支路电流.在低温段,曲率校正电路从一阶基准源输出支路抽取电流,降低其输出的正温度系数;在高温段,曲率校正电路向一阶基准源注入电流,对其负温度系数进行补偿.该带隙基准源采用GlobalFoundry0.35μm混合信号CMOS工艺设计,芯片面积为0.14mm2,电源电流为47μA.仿真结果表明:提出的曲率校正带隙基准源在-40~125℃范围内实现了四个温度系数的极值点,其温度系数为0.7×10-6℃-1.温度系数、2~4V内的线性调整率和低频电源抑制测试结果分别为7.8×10-6℃-1,0.8mV·V-1和-69.5dB. 展开更多
关键词 带隙基准源 分段非线性 曲率校正 温度系数 线性调整率 电源抑制
原文传递
自偏置的多段曲率校正带隙基准源
12
作者 赵玉月 龚敏 +1 位作者 邬齐荣 陈畅 《四川大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期293-296,共4页
典型的带隙基准电压源电路是由CMOS工艺产生的具有负温度系数的寄生横向BJT的发射结电压V_(EB)和具有正温度系数的热电压V_t相补偿产生零温度系数的基准带隙电压源.但是V_(EB)与温度不是线性关系,因此V_(REF)需要被校正.本文介绍了一种... 典型的带隙基准电压源电路是由CMOS工艺产生的具有负温度系数的寄生横向BJT的发射结电压V_(EB)和具有正温度系数的热电压V_t相补偿产生零温度系数的基准带隙电压源.但是V_(EB)与温度不是线性关系,因此V_(REF)需要被校正.本文介绍了一种高精度自偏置多段二次曲率补偿的CMOS带隙基准电压源.采用0.5μm CMOS工艺、工作电压为3.3 V,该芯片室温下功耗为94μW.设计在0℃~75℃有效温度系数达到了0.7 ppm/℃. 展开更多
关键词 带隙基准电压 共源共栅电流镜 自偏置 低温度系数 二次曲率校正
原文传递
采用二次曲线校正的CMOS带隙基准 被引量:5
13
作者 王红义 来新泉 +1 位作者 李玉山 陈富吉 《电子器件》 CAS 2007年第4期1155-1158,共4页
利用MOS管饱和电流对于“过驱动电压”的平方关系,提出一种新颖的电压差平方电路,产生相对于温度差的二次项补偿量,对典型的CMOS带隙基准进行曲率校正,获得更小的温度系数.基于某标准0.5μm CMOS工艺,在-40-120℃范围内,该方法将传统带... 利用MOS管饱和电流对于“过驱动电压”的平方关系,提出一种新颖的电压差平方电路,产生相对于温度差的二次项补偿量,对典型的CMOS带隙基准进行曲率校正,获得更小的温度系数.基于某标准0.5μm CMOS工艺,在-40-120℃范围内,该方法将传统带隙基准的温度系数从21.4×10^-6/℃减小到4.5×10^-6/℃,电路的输入电压可以低至1.8 V,工作电流12μA,输出基准电压可在0-1.2 V之间任意设置.该方法可在任何CMOS工艺或BiCMOS工艺中实现,具有很强的通用性. 展开更多
关键词 带隙基准 温度系数 曲率校正 二次曲线
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一种低压新型曲率补偿基准电压源设计
14
作者 肖本 冯宁 肖明 《电子科技》 2013年第9期65-68,共4页
要基于Chrt0.35μmCMOS工艺,设计了一种基于亚阈值工作区的一阶温度补偿和I2PTAT电路组成的带隙基准电压源。芯片测试结果表明,电路在1.2 V电源电压下便可工作;在温度-20~120℃范围内,基准电压源平均温度系数<2×10-6/℃。该带... 要基于Chrt0.35μmCMOS工艺,设计了一种基于亚阈值工作区的一阶温度补偿和I2PTAT电路组成的带隙基准电压源。芯片测试结果表明,电路在1.2 V电源电压下便可工作;在温度-20~120℃范围内,基准电压源平均温度系数<2×10-6/℃。该带隙基准源具有良好的可应用于高精度模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)和系统集成芯片(SOC)中。 展开更多
关键词 带隙基准源 曲率校正 温度系数 I2PTAT
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一种低压低温漂的CMOS带隙基准源 被引量:2
15
作者 肖明 吴玉广 +1 位作者 唐华 张上洋 《微计算机信息》 北大核心 2006年第11Z期304-306,共3页
基于标准0.35umCMOS工艺,采用一级温度补偿电压作为温度曲率校正电压,与传统采用PTAT电压作为温度曲率校正电压相比,获得了一个电路结构简单,性能更好的带隙基准源。使用Hspice进行仿真,仿真结果表明电路可以在-20-100℃范围内,平均温... 基于标准0.35umCMOS工艺,采用一级温度补偿电压作为温度曲率校正电压,与传统采用PTAT电压作为温度曲率校正电压相比,获得了一个电路结构简单,性能更好的带隙基准源。使用Hspice进行仿真,仿真结果表明电路可以在-20-100℃范围内,平均温度系数约2ppm/℃,工作电压为1V左右,获得了一个高性能的带隙基准电压源。该带隙基准源可应用于高精度模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)和系统集成芯片(SOC)中。 展开更多
关键词 带隙基准源 曲率校正 温度系数 电源抑制比
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一种高精度基准源电路 被引量:7
16
作者 董大伟 《电子技术应用》 北大核心 2015年第6期45-46,50,共3页
基于90 nm CMOS标准工艺,设计了一种低温漂的带隙基准源电路。一种结构新颖的温度曲率校正电路被采用,作为一级温度补偿电路的曲率校正电路。Hspice仿真结果表明:所设计电压源在温度-20℃^+120℃范围内,平均温度系数约为2.2 ppm/℃,获... 基于90 nm CMOS标准工艺,设计了一种低温漂的带隙基准源电路。一种结构新颖的温度曲率校正电路被采用,作为一级温度补偿电路的曲率校正电路。Hspice仿真结果表明:所设计电压源在温度-20℃^+120℃范围内,平均温度系数约为2.2 ppm/℃,获得了一个低压高精度的带隙基准电压源。 展开更多
关键词 带隙基准源 温度系数 曲率校正
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一种高性能的BiCMOS带隙基准电压源
17
作者 石广源 金璐 李文昌 《辽宁大学学报(自然科学版)》 CAS 2009年第1期13-17,共5页
提出了一种新颖的利用负反馈环路以及RC滤波器提高电源抑制比的高精密CMOS带隙基准电压源.采用上海贝岭的1.2μm B iCMOS工艺进行设计和仿真,spectre模拟表明该电路具有较高的精度和稳定性,带隙基准的输出电压为1.254 V,在2.7 V^5.5 V... 提出了一种新颖的利用负反馈环路以及RC滤波器提高电源抑制比的高精密CMOS带隙基准电压源.采用上海贝岭的1.2μm B iCMOS工艺进行设计和仿真,spectre模拟表明该电路具有较高的精度和稳定性,带隙基准的输出电压为1.254 V,在2.7 V^5.5 V电源电压范围内基准随输入电压的最大偏移为0.012 mV,基准的最大静态电流约为11.27μA;当温度-40℃~120℃范围内,基准温度系数为1 mV;在电源电压为3.6 V时,基准的总电流约为10.6μA,功耗约为38.16μW;并且基准在低频时具有100 dB以上的电源电压抑制比(PSRR),基准的输出启动时间约为39μs. 展开更多
关键词 带隙基准电压源 曲率校正 负反馈回路 RC滤波器
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一种高温度性能的带隙基准源 被引量:5
18
作者 贺炜 冯全源 《电子器件》 CAS 北大核心 2015年第1期18-22,共5页
基于OKI 0.5μm Bi CMOS工艺,设计了一种低温漂的带隙基准电压源。对传统基准源的电压模式输出级进行了改进,使之形成同时包含电压模式和电流模式的混合模式输出级,提高了温度补偿的灵活性。同时设计了一种基于分段线性补偿技术的高精... 基于OKI 0.5μm Bi CMOS工艺,设计了一种低温漂的带隙基准电压源。对传统基准源的电压模式输出级进行了改进,使之形成同时包含电压模式和电流模式的混合模式输出级,提高了温度补偿的灵活性。同时设计了一种基于分段线性补偿技术的高精度曲率校正电路,精确地对基准电压的高阶温度分量进行修调。HSPICE仿真结果表明,在5 V的电源电压下,基准输出电压为1.215 6 V,在-40℃~125℃温度范围内,基准电压的温度系数为0.43×10-6/℃,低频时电路电源抑制比低于-83 d B。电源电压在3.8 V^10 V范围内变化时,基准源的线性调整率为9.2μV/V。 展开更多
关键词 带隙基准 混合模式 曲率校正 低温漂
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一种二阶补偿带隙基准设计 被引量:1
19
作者 阳云霄 张国俊 《电子技术应用》 北大核心 2013年第7期41-43,46,共4页
基于分段补偿原理和MOS管的漏极电流是过驱动电压的平方关系函数,提出了一种新颖的二阶补偿结构,仅引入一股与温度成平方关系的电流,既补偿了低温阶段的基准电压,又补偿了高温阶段的基准电压,大大提高了基准电压源随温度变化的稳定性。... 基于分段补偿原理和MOS管的漏极电流是过驱动电压的平方关系函数,提出了一种新颖的二阶补偿结构,仅引入一股与温度成平方关系的电流,既补偿了低温阶段的基准电压,又补偿了高温阶段的基准电压,大大提高了基准电压源随温度变化的稳定性。采用0.5μm BCD工艺对电路进行仿真,结果表明,输出电压为1.24 V,温度范围在-35℃~135℃时,温度系数为2.82 ppm/℃;在低频时,电源抑制比达到了75.6 dB。 展开更多
关键词 基准电压 二阶补偿 分段补偿 曲率校正 电源抑制比
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A Piecewise-Linear Compensated Bandgap Reference 被引量:5
20
作者 王红义 来新泉 +1 位作者 李玉山 李先锐 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第7期771-777,共7页
A bandgap voltage reference is presented with a piecewise linear compensating circuit in order to reduce the temperature coefficient.The basic principle is to divide the whole operating temperature range into some su... A bandgap voltage reference is presented with a piecewise linear compensating circuit in order to reduce the temperature coefficient.The basic principle is to divide the whole operating temperature range into some sub ranges.At different temperature sub ranges the bandgap reference can be compensated by different linear functions.Since the temperature sub range is much narrower than the whole range,the compensation error can be reduced significantly.Theoretically,the precision can be improved unlimitedly if the sub ranges are narrow enough.In the given example,with only three temperature sub ranges,the temperature coefficient of a conventional bandgap reference drops from 1 5×10 -5 /℃ to 2×10 -6 /℃ over the -40℃ to 120℃ temperature range. 展开更多
关键词 bandgap voltage reference piecewise linearly compensated curvature corrected temperature coefficient reference circuits
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