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运用Tebis对A面常见缺陷的修复方法
1
作者
倪为华
王晓清
《模具制造》
2019年第7期73-77,共5页
A级型面即通常所说的汽车外覆盖件可见面,由于始终显露在外,因此其上如果存在任何细小的缺陷都会在日常光的照射下显现无遗,严重影响上海大众汽车产品的外观品质。编程室通过经验累积,分析A级型面缺陷产生的原因,不断尝试各种技术手段,...
A级型面即通常所说的汽车外覆盖件可见面,由于始终显露在外,因此其上如果存在任何细小的缺陷都会在日常光的照射下显现无遗,严重影响上海大众汽车产品的外观品质。编程室通过经验累积,分析A级型面缺陷产生的原因,不断尝试各种技术手段,终于钻研出了一些较为有效的A面缺陷修复方法,使得模面数据质量得到了进一步的提升。
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关键词
曲率缺陷
连续性
缺陷
A面
缺陷
修复
下载PDF
职称材料
基于缺陷曲率对含有V_1~V_4空位(5,5)单壁碳纳米管[1+1]和[2+1]加成反应的第一性原理研究
被引量:
1
2
作者
李磊
贾桂霄
+3 位作者
王晓霞
吴铜伟
宋希文
安胜利
《化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2017年第3期284-292,共9页
本工作使用GGA-PBE方法研究了H和O在含有V_1~V_4空位(5,5)单壁碳纳米管[1+1](H/[1+1])和[2+1](O/[2+1])加成反应的结合能、几何和电子结构.基于方向曲率理论提出的缺陷曲率包括原子曲率(KM-def)和键曲率(K_(D-def))预测了空位缺陷区不...
本工作使用GGA-PBE方法研究了H和O在含有V_1~V_4空位(5,5)单壁碳纳米管[1+1](H/[1+1])和[2+1](O/[2+1])加成反应的结合能、几何和电子结构.基于方向曲率理论提出的缺陷曲率包括原子曲率(KM-def)和键曲率(K_(D-def))预测了空位缺陷区不同原子和键的加成反应活性.计算结果表明,不管是[1+1]还是[2+1]加成,V_1和V_3空位缺陷中含有悬空键的C原子化学活性最强,且在[2+1]加成反应中C与O原子形成了羰基;对空位缺陷区其它原子或键,H与(5,5)管V_1~V_4空位缺陷区的原子结合能随K_(M-def)的增大而增大;O加成在大K_(D-def)的C—C键时,C—C键易被打断,形成C—O—C产物结构,且相应的结合能较大;O加成在小K_(D-def)的C—C键时,C—C键未被打断,形成三元环产物结构.H/[1+1]和O/[2+1]加成反应结合能除了主要受曲率的影响,还受到参与反应的C原子在(5,5)管最高占据分子轨道的电荷密度以及分波态密度的影响.这些研究将为含有空位缺陷碳纳米管的表面修饰提供理论依据.
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关键词
碳纳米管
空位
缺陷
曲率
电子结构
加成反应性
原文传递
题名
运用Tebis对A面常见缺陷的修复方法
1
作者
倪为华
王晓清
机构
上汽大众汽车有限公司
出处
《模具制造》
2019年第7期73-77,共5页
文摘
A级型面即通常所说的汽车外覆盖件可见面,由于始终显露在外,因此其上如果存在任何细小的缺陷都会在日常光的照射下显现无遗,严重影响上海大众汽车产品的外观品质。编程室通过经验累积,分析A级型面缺陷产生的原因,不断尝试各种技术手段,终于钻研出了一些较为有效的A面缺陷修复方法,使得模面数据质量得到了进一步的提升。
关键词
曲率缺陷
连续性
缺陷
A面
缺陷
修复
Keywords
curvature defect
continuity defect
class A profile surface defects repair
分类号
TG659 [金属学及工艺—金属切削加工及机床]
下载PDF
职称材料
题名
基于缺陷曲率对含有V_1~V_4空位(5,5)单壁碳纳米管[1+1]和[2+1]加成反应的第一性原理研究
被引量:
1
2
作者
李磊
贾桂霄
王晓霞
吴铜伟
宋希文
安胜利
机构
内蒙古科技大学材料与冶金学院
内蒙古自治区新型功能陶瓷与器件重点实验室
出处
《化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2017年第3期284-292,共9页
基金
内蒙古自然科学基金(No.2016MS0513)
内蒙古科技大学青年人才孵化器(No.2014CY012)资助~~
文摘
本工作使用GGA-PBE方法研究了H和O在含有V_1~V_4空位(5,5)单壁碳纳米管[1+1](H/[1+1])和[2+1](O/[2+1])加成反应的结合能、几何和电子结构.基于方向曲率理论提出的缺陷曲率包括原子曲率(KM-def)和键曲率(K_(D-def))预测了空位缺陷区不同原子和键的加成反应活性.计算结果表明,不管是[1+1]还是[2+1]加成,V_1和V_3空位缺陷中含有悬空键的C原子化学活性最强,且在[2+1]加成反应中C与O原子形成了羰基;对空位缺陷区其它原子或键,H与(5,5)管V_1~V_4空位缺陷区的原子结合能随K_(M-def)的增大而增大;O加成在大K_(D-def)的C—C键时,C—C键易被打断,形成C—O—C产物结构,且相应的结合能较大;O加成在小K_(D-def)的C—C键时,C—C键未被打断,形成三元环产物结构.H/[1+1]和O/[2+1]加成反应结合能除了主要受曲率的影响,还受到参与反应的C原子在(5,5)管最高占据分子轨道的电荷密度以及分波态密度的影响.这些研究将为含有空位缺陷碳纳米管的表面修饰提供理论依据.
关键词
碳纳米管
空位
缺陷
曲率
电子结构
加成反应性
Keywords
carbon nanotubes
vacancies
defect curvature
electronic structures
additions
分类号
O621.256.7 [理学—有机化学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
运用Tebis对A面常见缺陷的修复方法
倪为华
王晓清
《模具制造》
2019
0
下载PDF
职称材料
2
基于缺陷曲率对含有V_1~V_4空位(5,5)单壁碳纳米管[1+1]和[2+1]加成反应的第一性原理研究
李磊
贾桂霄
王晓霞
吴铜伟
宋希文
安胜利
《化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2017
1
原文传递
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