Sc_2O_3替代层在532nm高反膜中的应用

将Sc2O3替代层引入到532 nm高反膜(HfO2/SiO2)n中,利用Sc2O3在盐酸中具有较好的溶解性这个特点,把膜层与基片脱离,以方便基片返修,缩短返修周期,降低成本。能量色散谱元素测试表明,脱离后Sc元素残留率为0。用Lamada900分光光度计、WykoNT1100轮廓仪和ZYGO干涉仪分别表征了替代层引入对高反膜的光谱、表面粗糙度和应力的影响,并测试了膜系在532 nm的激光损伤阈值的变化,结果表明Sc2O3替代层的引入对高反膜的性能几乎没有负面影响。