单晶硅中替位碳含量的常/低温红外光谱对比研究

对不同单晶硅片中的替位碳含量进行了常温/低温(<15K)红外光谱测试。通过对比研究发现,在所有实验样品中,除一个碳含量高的样品相对偏差较大以外,其余样品的相对偏差都很小,均在±0.06ppma以内。实验证明低温(<15K)红外光谱可以替代常温红外光谱完成杂质碳含量的检测,低温红外光谱的一次扫描即可同时完成碳、硼、磷杂质的含量检测。本文为多晶硅生产中的杂质含量分析提供了一种快速、高效的检测模式,避免了设备的重复和资源的浪费。

多晶硅“碳头料”清洗使用研究

通过自配的SORNID系列清洗液研究了其对多晶硅"碳头料"的清洗效果及清洗"碳头料"后对多晶铸锭的影响。采用红外探伤检测仪(IR探伤)、微波光电导衰减仪(μ-PCD)和傅立叶变换红外光谱仪(FTIR)进行了综合表征。研究表明:SORNID-3清洗液对"碳头料"清洗效果明显;使用120kg清洗后"碳头料"完全满足多晶铸锭的工业要求,所铸晶锭具有厘米级大晶粒,呈柱状晶粒结构;平均少子寿命能达到3.57μs,晶棒少子寿命分布呈倒U型,收益率能达到69.16%;硅片替位碳含量低于10ppm。