嵌入式SRAM的优化修复方法及应用

为了提高SRAM的成品率并降低其功耗,提出一种优化的SRAM.通过增加的冗余逻辑及电熔丝盒来代替SRAM中的错误单元,以提高其成品率;通过引入电源开启或关闭状态及隔离逻辑降低其功耗.利用二项分布计算最佳冗余逻辑,引入成品率边界因子判定冗余逻辑的经济性.将优化的SRAM64K×32应用到SoC中,并对SRAM64K×32的测试方法进行了讨论.该SoC经90 nm CMOS工艺成功流片,芯片面积为5.6 mm×5.6 mm,功耗为1997 mW.测试结果表明:优化的SRAM64K×32在每个晶圆上的成品率提高了9.267%,功耗降低了17.301%.