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MOS控制晶闸管的最大可关断电流
被引量:
2
1
作者
张鹤鸣
戴显英
+2 位作者
林大松
王伟
解勇
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第2期133-137,共5页
建立了MOS控制晶闸管最大可关断电流的解析关系式 .在该关系式中 ,关断电流只与晶闸管中耦合晶体管的电流放大系数及晶闸管射极短路电流有关 .另外 ,基于MOS控制晶闸管的仿真模型 ,模拟分析了最大可关断电流与它们间的关系 .解析与模拟...
建立了MOS控制晶闸管最大可关断电流的解析关系式 .在该关系式中 ,关断电流只与晶闸管中耦合晶体管的电流放大系数及晶闸管射极短路电流有关 .另外 ,基于MOS控制晶闸管的仿真模型 ,模拟分析了最大可关断电流与它们间的关系 .解析与模拟分析结果符合较好 .结果表明 ,耦合晶体管电流放大系数及晶闸管射极短路电流的设计决定了器件的最大可关断电流 .
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关键词
MOS控制
晶闸管
最大可关断电流
下载PDF
职称材料
MCT最大可关断电流的解析分析
被引量:
3
2
作者
周宝霞
陈治明
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第6期442-446,共5页
通过对MCT关断存贮期电流分布及变化的动态分析,利用电荷控制原理推导出MCT最大可关断电流的解析表达式,并且同利用通用器件模拟软件对同一器件进行的数值分析结果进行对比。
关键词
功率半导体器件
MCT
最大可关断电流
下载PDF
职称材料
题名
MOS控制晶闸管的最大可关断电流
被引量:
2
1
作者
张鹤鸣
戴显英
林大松
王伟
解勇
机构
西安电子科技大学微电子研究所
出处
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第2期133-137,共5页
基金
军事电子预研基金资助项目
文摘
建立了MOS控制晶闸管最大可关断电流的解析关系式 .在该关系式中 ,关断电流只与晶闸管中耦合晶体管的电流放大系数及晶闸管射极短路电流有关 .另外 ,基于MOS控制晶闸管的仿真模型 ,模拟分析了最大可关断电流与它们间的关系 .解析与模拟分析结果符合较好 .结果表明 ,耦合晶体管电流放大系数及晶闸管射极短路电流的设计决定了器件的最大可关断电流 .
关键词
MOS控制
晶闸管
最大可关断电流
Keywords
MCT
maximum controllable current
current gain
分类号
TN34 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
MCT最大可关断电流的解析分析
被引量:
3
2
作者
周宝霞
陈治明
机构
西安理工大学电子工程系
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第6期442-446,共5页
文摘
通过对MCT关断存贮期电流分布及变化的动态分析,利用电荷控制原理推导出MCT最大可关断电流的解析表达式,并且同利用通用器件模拟软件对同一器件进行的数值分析结果进行对比。
关键词
功率半导体器件
MCT
最大可关断电流
Keywords
Electric currents
Field effect semiconductor devices
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
MOS控制晶闸管的最大可关断电流
张鹤鸣
戴显英
林大松
王伟
解勇
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
2
下载PDF
职称材料
2
MCT最大可关断电流的解析分析
周宝霞
陈治明
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998
3
下载PDF
职称材料
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