量子阱中极化子性质的温度关系

利用格林函数理论研究了量子阱中极化子性质对温度的依赖关系，并首次引入准二维格林函数．在理论上，考虑到所有激发态对极化子基态的影响，并以ＧａＡｓ／Ｇａ０．７５Ａｌ０．２５Ａｓ量子阱为例进行了数值计算．结果表明，在０～１００Ｋ范围内，电子的自能随温度的升高而减小，有效质量随温度的升高而增大．

量子阱中的双极化子

在同时考虑电子与ＬＯ声子及ＩＯ声子相互作用的情况下，用ＬＬＰ正则变换的方法研究了半导体量子阱中双极化子的性质．给出了由于电子－ＬＯ声子及电子－ＳＯ声子相互作用而产生的诱生势，并且以ＧａＡｓ／Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ为例进行了数值计算．通过计算可得出如下结论：（１）双极化子的诱生势可以分为两部分，其中一部分仅与一个电子的坐标ｚ１（ｚ２）有关，另一部分则不仅与两个电子的坐标ｚ１和ｚ２都有关，还与两个电子间的相对距离ρ有关；（２）诱生势ＶＩＬ（ρ）和ＶＩ，σ（ρ）的绝对值随着双极化子中两个电子间相对距离ρ的增加而减小；（３）由于电子与ＩＯ声子相互作用而产生的诱生势ＶＩ，σ（ρ）的绝对值随量子阱宽度Ｎ的增加而减小．