北斗多频观测最小噪声系数组合法

在卫星高精度定位中,采用多频观测量组合可以构建长波长、无电离层延迟、无几何距离等组合,有效解决定位过程中的载波相位模糊度、电离层延迟、周跳等问题。本文在多频实系数组合方面,提出一种多频最小噪声系数组合方法,以组合后噪声系数最小为基本原则,并根据电离层延迟的影响分析了忽略电离层延迟和综合电离层延迟的组合。在多频最小噪声系数组合过程中,采用的频点个数越多,组合后的观测量精度越高。忽略电离层延迟组合主要考虑观测噪声的影响,北斗双频、三频、四频、五频、六频的最优组合相比于单频观测量,理论观测量精度分别提升了40%、53%、58%、62%、64%;综合电离层延迟组合兼顾电离层延迟和噪声系数的影响,通过适当放大噪声系数来降低电离层系数。在实际接收的观测量验证时,最小噪声系数组合的观测量精度提升效果与理论分析的变化趋势基本一致,采用实际数据进行北斗PPP定位分析,结果表明,双频最小噪声系数的定位精度略优于非差非组合。

MMIC放大器R_n-G_n噪声模型的精确测量研究

MMIC放大器在微波通信等领域有着重要的应用。由于微波信号在传输过程中 ,不可避免的会被噪声和干扰所污染 ,到达接收端时的微波信号已相当微弱 ,所使用的接收微波放大器必须要在工作频段上具备较小的噪声。本文将讨论如何使用 M- L ane方法 (改进的 L ane方法 ) [1 ] ,使用自行研制的精密阻抗变换器 ,得到 MMIC放大器 Rn- Gn 噪声模型中包括最小噪声系数 Fmin在内的 4个参数 ,实验结果证明该方法可以有效地提高

微波放大器R_n-G_n噪声模型阻抗变换测量方法

为了使接收微波放大器在工作频段上具有较小的噪声,讨论了如何使用M-Lane方法,结合自行研制的精密阻抗变换器,得到微波放大器Rn-Gn噪声模型中包括最小噪声系数Fmin在内的4个参数,使设计的放大器工作在匹配状态,Fmin可达到2.32dB,测量时间也大大缩短,结果稳定,为进行微波放大器低噪声设计提供了一个快速准确的方法。

GaInP/GaAs HBT高频噪声特性分析

通过器件Z参数分析噪声等效电路及计算最小噪声系数 ,利用HPADS软件仿真了等效电路元件对最小噪声系数的影响 ,从而得出了根据器件几何、物理参数来改进器件高频噪声性能的有效途径。

120nm SiGe BiCMOS 90～100GHz低噪声放大器

基于IBM8HP 120nm SiGe BiCMOS工艺,分析了晶体管的最小噪声系数和最大可用增益特性。采用两级Cascode放大器级联结构,研制出一种频带为90~100GHz的低噪声放大器(LNA)。详细分析了Cascode放大器潜在的自激可能性,采用串联小电阻的方式消除不稳定性。与电磁仿真软件Sonnet联合仿真,结果表明,在频带内,放大器的输入反射系数S_(11)<-18dB,输出反射系数S_(22)<-12dB;在94GHz处,噪声系数为8dB,增益为14.75dB,输出1dB压缩点功率为-7.9dBm;在1.8V供电电压下,整个电路的功耗为14.42mW。该放大器具有低噪声、低功耗的特点。

中星九号低噪声放大器的设计

本文介绍了低噪声放大器的设计方法,利用安捷伦公司的ADS软件设计了一款应用于中星九号的低噪声放大器。该放大器在11.7-12.2GHz增益大于35dB,增益平坦度为±0.2dB,噪声系数低于0.86dB,适合于中星九号高频头的应用。考虑到该频段集总电容寄生效应难以估计,本设计采用耦合微带线进行直流隔离,达到了良好的效果。

HFET技术及其在低噪声和功率放大器上的应用

基于低噪声赝配AlGaAs/InGaAs/GaAs HFET技术的进展,研制了可同时应用于低噪声和功率放大器的新一代器件。改进低噪声结构,以提高击穿电压,使之超过8V,并获得了超过800mA/mm的漏极电流密度。这是通过改变掺杂方案实现的。这种材料的0.25μm器件实验显示,它具有180GHz的截止频率和在18GHz时,最小噪声系数低于1dB。作为实验,制作了一个二级低噪声放大器的MMIC(微波单片集成电路)。在28GHz时,最小噪声系数为2.2dB,增益达到18dB。这是组合式发射/接收组件达到中功率水平的基础。

高阻Si衬底对SiGe HBT高频性能的改善研究

选用电阻率高达1 000Ω·cm的硅衬底结构改善SiGe HBTs频率性能。介绍了器件的结构设计,根据衬底寄生参数模型分析了衬底阻抗影响器件高频性能的原理,计算出器件f_T和f_(max)随衬底电阻率变化的规律。测试结果表明,高电阻率衬底器件比n^+衬底器件的特征频率f_T提高了28%,而最高振荡频率f_(max)提高了47.7%;表明高电阻率衬底基本消除了SiGe HBT中大多数容性寄生网络;通过对器件的最小噪声系数的计算与测试分析,发现高阻Si衬底的引入使器件的噪声系数在低频时几乎不变,在高频时轻微增加。

用于射频电路的CMOS器件设计

CMOS IC依靠按比例缩小技术不断向前发展,现在已进入深亚微米至纳米时代,这不仅意味着Gbit规模的集成度、GHz的时钟频率以及系统芯片(SOC)的实现,也使CMOS技术进入射频(RF)领域。

Ku波段双馈源高频头的设计

随着全球直播卫星产业的发展,国际市场一些BSS(卫星广播业务)和FSS(卫星固定业务)用户有对一点同时接收两颗卫星信号的LNB的要求。根据客户反映和我们的市场开拓人员辛苦调研,Ku波段双馈源高频头在国际市场的需求量很大,特别是在一些发达国家,如欧、美市场。本文主要介绍了我研发的一款Ku波段双馈源高频头的设计方法。

Ku波段双馈源高频头的设计

随着全球直播卫星产业的发展,国际市场一些BSS(卫星广播业务)和FSS(卫星固定业务)用户有对一点同时接收两颗卫星信号的LNB的要求。根据客户反映和我们的市场开拓人员辛苦调研,KU波段双馈源高频头在国际市场的需求量很大,特别是在一些发达国家,如欧、美市场。本文主要介绍了我研发的一款Ku波段双馈源高频头的设计方法。