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两种粒度叠氮化铅半导体桥点火特性研究 被引量:2
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作者 马鹏 张琳 +1 位作者 朱顺官 陈厚和 《含能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期198-201,共4页
用半导体桥(Semiconductor Bridge,SCB)研究了点燃两种不同粒度(细化5~15μm和结晶300μm)的叠氮化铅(LeadAzide,LA)所需的电压、电流和光信号。结果表明:细化LA被SCB点燃时,其出光时间早于SCB二次峰结束时间,而结晶LA出光时间要晚于SC... 用半导体桥(Semiconductor Bridge,SCB)研究了点燃两种不同粒度(细化5~15μm和结晶300μm)的叠氮化铅(LeadAzide,LA)所需的电压、电流和光信号。结果表明:细化LA被SCB点燃时,其出光时间早于SCB二次峰结束时间,而结晶LA出光时间要晚于SCB二次峰结束时间。随SCB点火电压增加,SCB二次峰的持续时间以及出光时间均缩短。由D-最优化法所得两种LA点火数据显示:细化LA的最小发火电压是结晶LA的50%。 展开更多
关键词 军事化学与烟火技术 半导体桥 叠氮化铅 点火时间 最小点火电压
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