氢氧化铝有利生长基元[Al_6(OH)_(18)(H_2O)_6]_n微观叠合的DFT计算

以氢氧化铝有利生长基元叠合模型为研究对象,用基于密度泛函理论(DFT)的DMol3程序计算各种典型基元[Al6(OH)18(H2O)6]_n(n=3,4,5,6,7,8)叠合体系的总能量、结合能、基元团间相互作用能及轨道能量等,获得氢氧化铝有利生长基元分子叠合的键力特征等微观图像。研究结果表明,当叠合基元数n相同时,"正面正对叠合"模型的能量稳定性最高,结合力最强;整体上,"正面型"基元团能量的稳定性较高,结合力较强;叠合基元数n对不同叠合方式构建的少基元叠合模型的影响趋势是不同的,对于"侧棱"型叠合,n越大,体系的稳定性越低;对于"正面"型叠合,n越大,体系的稳定性越高;随叠合基元数n的增大,"正面"叠合少基元体系相互吸引的作用力增强,而"侧棱"叠合体系的基元间相互作用能E(VDW)相互排斥的作用力更强;"正面"型叠合是有利于形成较稳定的新相生成基元团的叠合方式,以"正面"叠合为主形成的基元团更有可能形成晶体生长过程中的原始晶胚。

复合添加剂体系下纳米AlOOH的“有利生长基元”分析

晶体的结晶形态取决于"生长基元"的形成及其运动。在添加复合添加剂的体系中,呈现出"生长基元"多元化共存的倾向。但并不是每一种"生长基元"都可以成为体系中的"晶核",只有"有利生长基元"才能在溶液中稳定地存在。由于"复合生长基元"的配位体系不同于单纯多聚体的配位体系。所以,浓度不同,温度不同,"有利生长基元"也就不同。本文从稳定能出发讨论纳米AlOOH在水热复杂环境体系下的"有利生长基元"。

基底的平整度对电化学制备BaMoO4薄膜成核速率的影响

在金属片Mo上用恒电流电化学技术制备了从薄膜开始成核到生长结束不同时间的BaMoO_4晶态薄膜,并利用SEM、XRD等相关测试手段,对这些薄膜进行测试分析,结果发现,在相同的制备条件下,在薄膜生长的开始阶段,由于基底不平整(折叠、划痕、缺陷、凹凸不平)的位置电流密度要比平整处大,使得该处基片的溶解速率加快,形成的有利生长基元的数目就较多,故导致基底上不平整的位置BaMoO_4薄膜成核速率就大。