C/SiC复合材料有序多孔陶瓷接头的制备及其连接技术研究

采用st ber法制备出单分散氧化硅小球,并以此为模板,结合先驱体转化技术成功制备出C/SiC复合材料纳米有序多孔陶瓷接头,并对该接头制备工艺条件作了优化。对制备出的C/SiC多孔陶瓷接头分别采用先连后浸法(SJM)和直接浸渍法(DSM)进行了连接。结果显示,两种方法连接的连接件的抗弯强度分别达82.4和20.5 MPa,表明C/SiC多孔陶瓷接头采用SJM连接较好。

有序多孔磁性碳化硅陶瓷的制备

采用聚二甲基硅烷(PDMS)和二茂铁合成了聚铁碳硅烷(PFCS)。以有序氧化硅凝胶小球为模板、PFCS作先驱体,经过先驱体的渗入、不熔化、陶瓷转化和除去模板,制得氮气吸附法(BET)比表面积为703.46 m2/g的有序多孔含铁碳化硅SiC(Fe)磁性陶瓷。

三维有序多孔SiC陶瓷的制备及表征

采用三维有序氧化硅凝胶小球为模板，以聚甲基硅烷（PMS）为先驱体，经过先驱体的渗入、陶瓷转化和模板的去除，制备了长程三维有序球形孔多孔SiC陶瓷．研究结果表明：所制备的多孔陶瓷中球形孔的孔径（84-658nm）、BET比表面积（299．44-584．64m^2／g）和微孔体积（0．25-0．64cm^3/g）受氧化硅凝胶小球的粒径（112-700nm）控制，且该多孔陶瓷体系中存在3种孔，即球形孔、“窗口”和小孔（2-5nm）．其中球形孔以hcp结构有序排列、“窗口”使球形孔三维贯通、小孔的存在使该多孔陶瓷体系具有极高的BET比表面积和微孔体积．