硅基氧化铝纳米有序孔列阵制备

本文报道用自组织法在硅片上制备纳米多孔氧化铝列阵的技术．在Ｐ型〈１００〉晶向，电阻率为０．５Ω·ｃｍ的清洁硅片上，用电子束蒸发一层４００ｎｍ厚的９９．９９％高纯铝膜，然后将其作为阳极，浸入１５ｗｔ％Ｈ２ＳＯ４溶液中，在直流恒压４０Ｖ、恒温０℃条件下进行电化学氧化处理．处理结束后，分别用透射电子显微镜（ＴＥＭ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）对样品实施了平面形貌和横断面形貌观察，结果表明，在硅片上形成了一层厚约７００ｎｍ，孔间距５０ｎｍ，孔径１７ｎｍ，局域呈六度对称的氧化铝纳米有序孔列阵．这种纳米多孔列阵可用作制备硅基纳米材料的模板．