基建矿井有效增益自然风压及应用

通过对自然风压的研究,实施了有效增益、稳定自然风压措施,增大了自然风量,满足了生产风量,每月节约矿井通风费用10.8万元。

水的衰减系数及有效增益长度对受激布里渊散射输出能量的影响

本文从理论和实验上分析了水的衰减系数及有效增益长度对受激布里渊散射(SBS)输出能量的影响。实验结果表明,衰减系数越小,SBS输出能量越高。由于脉宽压缩效应,当入射光能量足够高并且有效增益长度相对较长时,SBS易获得高能量而形成极高的峰值功率。一旦这种峰值功率超过受激拉曼散射(SRS)或者二阶SBS阈值,SBS就会作为一个新的激发源去激发SRS或者二阶SBS,从而消耗掉部分SBS的能量,所以会出现后向有效增益长度越长,SBS的输出能量越低的现象。

原子激射器的空间有效增益范围

求出了γ维空间中理想玻色气体的态密度,采用Thomas-Fermi近似,导出了γ维广义幂律势阱中粒子数密度的空间分布.在此基础上,求出了原子激射器的空间有效增益范围(即γ维势阱中玻色-爱因斯坦凝聚的空间有效范围),并对其产生影响的相关因素进行了讨论.

基于有效相对增益矩阵的多直流协调分散控制

提出了一种基于有效相对增益矩阵(ERGA)的多直流控制回路配对方法。由于ERGA兼顾了带宽和稳态增益,计及了系统的动态特性,它能有效降低直流之间的耦合作用,避免发生模式谐振而恶化控制效果,便于分散控制器的设计。同时,本文基于ERGA提出了多直流协调控制策略,首先采用总体最小二乘-旋转不变技术参数估计(TLSESPRIT)算法对不同可取信号辨识系统传递函数,分析系统振荡模态和振型,从而得到各反馈信号的稳态增益和带宽。其次通过ERGA量化地分析各直流采用不同信号配对方式时的交互影响程度,并选取耦合作用最小的信号组合作为反馈信号,最后设计了考虑时滞的阻尼控制器。PSCAD仿真结果证明了该控制策略的有效性。

Ce∶KNSBN晶体写入光位置对两波耦合增益的影响

本文采用非同时读出条件下两波耦合实验装置,以532 nm的单频固体激光器为光源,在不同写入光夹角θ、抽运光的偏振方向与e偏振光的方向呈10°、信号光为e偏振光及不同信号光与抽运光光强比条件下,通过改变写入光在Ce∶KNSBN晶体内的不同位置研究其对两波耦合有效增益的影响。研究结果表明,在相同角度下写入光强比为1∶10,写入光在晶体内位置d=0.1 cm时最佳,有效增益达到最大。在最佳写入光位置,写入光强比为1∶10时,在写入光夹角为24°时两波耦合有效增益为最大。并对实验结果进行了理论拟合与分析。

解决影响放大器增益的方法

本文介绍了在使用测量放大器的过程中,通过采用模拟开关换档,有效解决放大器增益的方法,并通过对所设计电路的分析说明,得出推导公式。

光子晶体光纤喇曼放大器的增益研究

在单信号和多信号条件下,通过数值计算的方法分析了几种光子晶体光纤作喇曼放大器介质的增益情况。考虑有效喇曼增益系数,光纤损耗,泵浦功率等多个参量对增益的影响,将现有低损耗光子晶体光纤与色散补偿光纤进行了比较。结果表明,当小纤芯光子晶体光纤的损耗达到较低的水平后,PCF将成为良好的喇曼放大器增益介质。

ISM频段射频放大的小信号分析

为解决ISM频段小信号放大器降低失配与减小噪声之间的矛盾,提出了一种改善放大器性能的分析方法,满足信源、晶体管与负载三者之间的失配程度在受限条件下增益和噪声的最优化。指出增益、驻波比和噪声多个性能参数不能同时达到最优,提出了提高射频放大器综合性能的方法。在2.4GHz的ISM频段进行的仿真结果表明,驻波比越小,增益越大,噪声系数受失配限制的影响,在满足增益的条件下失配受限会使噪声系数增大。

一种新的ISM频段低噪声放大器设计方法

为解决ISM频段低噪声放大器降低失配与减小噪声之间的矛盾,提出了一种改善放大器性能的设计方法。分析了单项参数的变化规律,提出了提高综合性能的方法,给出了放大器封装模型的电路结构。对射频放大器SP模型和封装模型进行仿真。仿真结果表明,输入和输出匹配网络对放大器的性能有影响,所提出的设计方法能有效分配性能指标,为改善ISM频段低噪声放大器的性能提出了一种新的途径。

单层气体电子倍增探测器的性能测试

介绍了一种气体倍增器(Gas Electron Multiplier,GEM)薄膜,研制了有效面积为10 cm×10 cm的单层GEM探测器原型机.利用55Fe的5.9 ke V的x射线源对单层GEM探测器的正比性,有效增益以及能量分辨率随漂移电场、GEM工作电压以及收集场的函数关系进行了测量,找到了探测器的最佳工作条件.实验结果表明,探测器的正比性良好,性能稳定.当GEM工作电压为451 V时,增益达到500,此时的能量分辨率为17.6%.

分集天线

文章分析了分集天线的平均有效增益(MEG)、分集天线分支的相关系数,讨论了分集天线的具体使用例型。

基于复平面圆图的射频放大器分配方案研究

基于复平面圆图提出了一种射频放大器的分配方案。分析了射频放大器的特性,指出增益、驻波比和噪声多个性能参数不能同时达到最优,给出了单项参数达到最优的条件,提出了提高综合性能的方案。仿真结果表明,输入与输出端交叉耦合,输入和输出匹配网络的等效增益可以大于1,驻波比越小增益越大,噪声系数受失配限制的影响,失配越小,噪声系数越大。与仿真结果的对比表明,该方案能有效分配性能指标,可为射频放大器设计提供参考。

大型并网风电场、光伏电站与直流系统交互影响分析

利用有效相对增益方法分析电气距离、光伏出力大小对青海海西电网大型并网风电场、光伏电站、柴拉直流系统间交互作用的影响。首先介绍有效相对增益矩阵分析交互作用的算法,然后将大型风电场、光伏电站进行等值,以便进行暂态仿真分析。最后搭建青海海西电网暂态仿真模型,计算风电场、光伏电站、柴拉直流系统间有效相对增益矩阵。结果表明,3个系统间电气距离越小、交互影响越大,同时在地区电源总出力一定时,随着常规电源出力的减小、光伏电站出力相应增大,系统间的交互影响越大,仿真分析验证了所提方法的准确性。

GEM膜的化学刻蚀与性能测试

分析了化学蚀刻制作GEM膜过程中影响蚀刻质量的实验因素,并对相关的蚀刻条件进行了优化,制作出了8张灵敏面积为4×4cm2,孔径为85μm,孔间距为140μm的GEM膜并用其中的3张搭建了探测器。利用55Fe的X射线(5.9keV)测试探测器性能,结果显示,能量分辨率约为26%,有效增益可达105。

新型内腔太赫兹波参量振荡器的设计与阈值分析(英文)

设计了一种新型的表面辐射内腔太赫兹波参量振荡器,交叉谐振腔结构允许增益介质放置在泵浦光谐振腔内,使用浅表垂直辐射结构能够从铌酸锂晶体中有效耦合输出太赫兹波。推导了在太赫兹波参量振荡器中非共线相位匹配条件下有效参量增益长度的表达式。大的泵浦光尺寸和长的增益介质长度能增加有效参量增益长度。在有效参量增益长度表达式的基础上推导了太赫兹波参量振荡器的阈值表达式,在不同的参数条件下理论分析了谐振腔阈值表达式。大尺寸泵浦光、低频太赫兹波、短谐振腔腔长、斯托克斯光高反射率输出镜、长增益介质能有效降低太赫兹波参量振荡器阈值。文中的阈值分析对太赫兹参量振荡器的实验研究有参考价值。

短腔长室温封离式CO激光器

描述了一短腔长室温封离式ＣＯ激光器。该激光器的有效增益长度为８０ｃｍ，混合气体的比例为Ｈｅ∶Ｎ２∶ＣＯ＝７３∶３５∶１。利用流动的自来水进行冷却，水温为１０℃的情况下，获得了１０个振转谱带的激光跃迁，波长范围为５０～６０μｍ，输出功率为０２Ｗ，在关闭一半放电，有效增益长度仅为４０ｃｍ时，仍获得３０ｍＷ的激光输出。

表面出射太赫兹波参量振荡器的设计与增强输出(英文)

利用一台多纵模调QNd：YAG激光器泵浦的浅表垂直发射太赫兹波参量振荡器参量产生了高功率可调谐太赫兹波辐射。推导了非共线相位匹配条件下的有效参量增益长度以优化太赫兹波参量振荡器参数。实验测得太赫兹波的调谐范围为0．77～2．83THz。当泵浦功率密度为222．3MW／cm2时，在1．78THz处太赫兹波的最大输出能量为347．8nJ／pulse，对应的能量转化效率为3．91x10-6。太赫兹波在垂直方向上的远场发散角为0．0204rad，在水平方向上为0．0068rad。

分布式调相机励磁系统参数优化模型研究

可再生能源大多位于偏远地带,跨区外送时抵御系统冲击能力较弱,为了提高系统运行可靠性,以分布式调相机为无功补偿设备,研究励磁参数对调相机动态特性的影响。首先分析调相机输出无功的数学模型,确定反映调相机动态无功特性的评价指标—有效无功电流增益,基于该指标的频域灵敏度分析,来获取影响调相机动态特性的关键励磁参数及优化规律。以有效无功电流增益为目标函数,利用平均频域灵敏度指导改进蜂群算法的寻优方向,建立励磁参数的优化模型并进行求解。以风电系统为例,仿真验证励磁参数优化模型的控制效果。研究表明,利用提出的励磁参数优化模型得到的励磁参数可以提高调相机的动态无功输出,降低系统电压波动幅值,保证风力发电机实现高压或低压穿越。

掺铁近化学配比铌酸锂晶体的二波耦合特性研究

生长了铁掺杂(质量分数分别为25×10-6,50×10-6,100×10-6以及200×10-6)的近化学配比铌酸锂(SLN)晶体.用中心波长为532 nm的半导体激光器对晶体进行了二波耦合实验,测得了二波耦合的相应时间和有效增益系数随掺杂浓度、入射光总光强、写入光光强比以及入射光偏振方向的变化情况.实验结果表明,掺杂浓度越高,总入射光强越大,入射光光强比越小,都能导致响应时间减小,并且e光的响应时间要小于o光的响应时间;入射光光强比越大,有效增益系数越大,e光的有效增益系数要大于o光,而掺杂浓度对有效增益系数没有明显的影响.

半导体激光器

TN248.4 2001042419InGaN多量子阱面发射微盘激光器的理论研究=Theoreticalmodel for surface-emitting microdisk of InGaNMQW[刊,中]/谢成城,王舒民(北京大学物理系.北京(100871))//半导体光电.-2000,21(3).-188-192为了实现半导体微盘激光器的单模面发射,设计了一种以InGaN多量子阱为有源层,GaN外延层为覆盖层的半导体微盘激光器。通过对GaN覆盖层进行图形刻蚀,可以对不同的角模式进行有选择的增益,由此实现选模。