多晶硅电阻I－Ⅴ特性分析

本文提出一个有效捕获中心浓度的概念随着填充电荷Ｑ的增加按指数规律变化，多晶硅薄膜电阻的Ｉ—Ⅴ特性与有效捕获中心浓度有关。当时，可导致多晶硅薄膜电阻出现负阻特性。