高功率微波有效电场强度对大气折射率的影响

高功率微波的强电场与大气作用使空气电离,中性分子的电离频率与等效电场强度、大气压强密切相关。在一个较宽的范围内研究电子与大气中性分子的相互作用,分析讨论了高功率微波传输一个脉冲后电子浓度和折射率随微波有效电场强度的变化。

玻璃中半导体量子点的有效电场

玻璃中的半导体量子点通常是球形的纳米微粒 ,退极化因子在各方向均为 1/3;借助于介质极化理论的一些一般结果 ,得到球形量子点内的有效电场 ;量子点内的有效电场与玻璃中的电场成正比 ,比例系数决定于玻璃和半导体量子点的介电常数 .

N_2介质阻挡放电中有效电场的光谱测定

采用蒙特卡罗方法,模拟了N2非平衡态直流放电等离子体过程。计算了不同E/N条件下电子在氮气中的漂移速度,结果与实验数据符合得很好。模拟了电子激发态粒子数随E/N的变化关系。提出在介质阻挡放电研究和应用中,通过监测两条紫外谱线145和201 nm强度之比来监测有效电场的方法。

脉冲电场致细胞膜电穿孔的机理分析

从膜分子的角度,采用昂沙格有效电场分析外加脉冲电场作用对膜分子电势能和运动状态的影响,对脉冲电场致细胞膜电穿孔的机理做出解释.

内齿形空间电极电流变阻尼器的电场仿真分析

传统电流变阻尼器的电场强度与电流变液流动方向垂直,在高速冲击大剪切速率工况下,电流变液的剪切速率使用上限无法进一步提高,限制了它在更高剪切速率区间的应用。为解决此问题提出的交指状电极结构,能够提供二维正交电场分量,其有效电场强度可用电流变液工作区间内各点位的电场平行分量与0.3倍的电场垂直分量之和来表示,此数值的最小值与该电场分布下的电流变液屈服强度成线性关联。在此基础上,本文进一步提出了一种内齿形空间电极电流变阻尼器,具有三维正交电场分量,即使在高速冲击下电流变液发生湍流,也能够在工作区间内有效地控制流体运动行为,提升电流变阻尼器在高剪切速率工作区间的电流变控制能力。本文使用有限元分析软件COMSOL Multiphysics对内齿形空间电场进行了仿真分析,系统地研究了空间电极几何参数对空间电场有效电场强度体积分的影响规律。仿真结果表明,电极间绝缘层厚度增加时,有效电场强度体积分的数值逐渐增大;电极长度增加,该值先平缓增长、在拐点后快速增加;随着正负电极交角有效值的增加,该值逐渐减小;电极对数增加,该值呈现上升趋势。上述结果符合电场平行分量能够增强电流变效应的假设。

裂缝对电渗模型尺寸效应影响的试验研究

通过对电渗–堆载模型试验、单纯电渗模型试验和现场试验的比较发现:裂缝发展的巨大差异是导致单纯电渗模型试验与现场情况差别较大的原因,适当的堆载可消除几何边界引起的尺寸效应,使试验裂缝开展较准确地反映了现场电渗的真实情况,其结果可更好地模拟现场电渗情况;消除尺寸效应后,影响电渗排水效果的主要因素是有效电场面积,电流密度仅为次要影响因素,在梅花形、长方形与平行错位三种布置形式中,有效面积占比最大的梅花形布置效果最优、经济性最好,建议实际工程中采用梅花形布置。

氮化硼光频介电常数的计算

文章采用基于第一原理的赝势平面波的方法获得六方氮化硼层状结构模型和参数;利用介质球模型计算出BN极化率;考虑到离子间距离小于离子本身半径时,就必须对洛仑兹有效电场进行修正,求得洛仑兹有效电场Ee;并结合极化率而求得氮化硼光频介电常数.此计算过程中考虑到电子云的重叠和渗透效应;最后分析不同修正因子λ对结果的影响,将所得计算结果与实际氮化硼光频介电常数进行对比,结果发现,内电场修正因子λ→0时计算结果才与实际情况接近.

硅基不同晶面上的空穴迁移率研究

近年来,金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的特征尺寸减小并进入纳米尺度,为了改善器件的短沟道效应,器件由原来的平面结构改为立体结构。而在立体结构器件中,沟道由不同于传统Si(100)晶面的Si晶面所组成。因此,为了了解不同Si晶面上器件反型层空穴迁移率的变化情况,在不同晶面Si衬底上分别制作了pMOSFET,并研究了器件的空穴迁移率。采用Split C-V方法测试了Si(100),(110),(111)和(112)晶面上器件的空穴迁移率。结果表明,Si(110)晶面上的空穴迁移率最大,Si(112)晶面上<111>沟道方向空穴迁移率比(110)晶面上空穴迁移率小,而略大于(100)和(111)晶面上的空穴迁移率,(100)晶面上的空穴迁移率最小。

基于斯卡那维模型的离子晶体介电性能的研究

本文采用玻恩圆周轨道极化模型、双原子分子离子位移极化模型,分别计算了NaCl晶体中各离子的电子位移极化率和离子位移极化率。进一步采用点偶极子近似和双原子分子平均场近似,考虑在极化离子所产生的附加电场的作用下,基于斯卡那维模型计算出包含不同离子数目的NaCl晶体的有效电场结构系数,得到了与实测值更为接近的介电常数,与将晶体内部的有效电场视为外施宏观平均电场的Born理论计算值进行对比,误差值从11.4%降至4.3%。研究结果提供了通过斯卡那维模型精确计算离子晶体介电性能的新思路。

电渗法中电极布置形式的对比试验研究

为研究电极布置形式对电渗排水效果的影响,采用不锈钢管电极外加12V电压,通电96h,在自制的模型箱内先后进行了长方形、梅花形和平行错位3种电极布置形式的模型试验。从含水量、抗剪强度、电渗排水量、电流降低率和裂缝开展几方面进行比较分析,分析结果表明:有效电场面积最小的平行错位布置排水效果反而最好,有效电场面积最大的梅花形布置排水效果最差,电渗的排水量并不仅受有效电场面积影响;试验过程中由于阴极排水不畅引起表面积水,导致电流值在通电初期不降反升;裂缝与电渗效果的关系密切,因其开展的位置及深度不同,可以是有利的排水通道也可以阻隔阴阳极通路影响电渗效率。总结室内试验的结果,建议优先采用电极的平行错位布置形式进行电渗处理。

纳米MOSFET迁移率解析模型

从玻尔兹曼方程出发,重新计算了纳米MOSFET沟道内的载流子所服从的分布函数,特别是考虑了纳米MOSFET横向电场和纵向电场之间的相互作用,并且以得到的非平衡状态下的分布函数为基础,考虑载流子寿命和速度的统计分布,给出了纳米MOSFET载流子迁移率的解析表达式.通过与数值模拟结果进行比较和分析,该迁移率解析模型形式简洁、物理概念清晰,且具有相当精度.

0.8PbTiO_3-0.2Bi(Mg_(0.5)Ti_(0.5))O_3铁电薄膜90°分步畴转与温度效应

通过压电力显微镜对溶胶凝胶法制备的0.8PbTiO_3-0.2Bi(Mg_(0.5)Ti_(0.5))O_3铁电薄膜电畴结构进行研究。结果表明,薄膜中铁电相为主相,面内极化的a畴和离面极化的c畴同时存在于铁电纳米晶粒中。在针尖极化电场的作用下,薄膜晶粒内的电畴取向发生变化,180°电畴翻转分为两步90°畴转实现,最终完成c-a-c的电畴转变。温度的变化影响畴转的过程,温度越高越有利于畴转,这与有效电场的增大有关。