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半导体表面薄膜的有效量子限制长度和极化子研究
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作者 李华 刘炳灿 田强 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2017年第4期395-398,共4页
采用提出的等效方法,确定Al_xGa_(1-x)As衬底上GaAs表面薄膜的量子限制长度,在此基础上确定了GaAs薄膜的分数维,进一步利用分数维方法研究了Al_xGa_(1-x)As衬底上GaAs表面薄膜中的极化子特性.
关键词 有效量子限制长度 分数维方法 极化子 GaAs薄膜
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抛物量子阱的有效量子限制长度及其极化子特性 被引量:1
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作者 董思宇 史冰心 田强 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期148-150,共3页
采用新的等效长度方法确定了抛物量子阱的有效量子限制长度,并与其他方法的结果进行了比较分析.在此基础上,采用分数维方法计算了抛物量子阱中的极化子特性.
关键词 有效量子限制长度 等效长度 抛物量子 极化子
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