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半导体器件内离子有效LET值测量方法研究
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作者 史淑廷 郭刚 +11 位作者 刘建成 蔡莉 陈泉 沈东军 惠宁 张艳文 覃英参 韩金华 陈启明 张付强 殷倩 肖舒颜 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第10期2546-2550,共5页
提出了一种基于电荷收集测试技术的离子有效LET值测量方法.首先对半导体器件内收集电荷量与入射离子有效LET值之间的关系进行了分析,根据二者之间的关系提出通过测量电荷收集量从而测量离子有效LET值的方法;然后建立了半导体器件电荷收... 提出了一种基于电荷收集测试技术的离子有效LET值测量方法.首先对半导体器件内收集电荷量与入射离子有效LET值之间的关系进行了分析,根据二者之间的关系提出通过测量电荷收集量从而测量离子有效LET值的方法;然后建立了半导体器件电荷收集测试系统,利用PN结和SRAM对测量方法进行了验证;最后成功利用该方法解释了以往单粒子效应实验中出现的数据异常. 展开更多
关键词 单粒子效应 电荷收集 有效let值 SRAM
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