小分子掺杂高分子半导体薄膜中异质结结构光谱学特性研究

利用稳态吸收和荧光光谱学、瞬态荧光光谱学(时间相关单光子计数技术)系统研究了EPPTC掺杂的F8BT薄膜异质结结构中激发复合体的形成机理和荧光发射特性,并表征了其特征光谱和荧光发射寿命.其特征主要体现在显著延长的荧光发射寿命和红移的荧光发射光谱.这对于理解有机半导体材料异质结结构形成的机理和光物理学特性研究提供了多方面的实验依据.同时,由于这两种材料混合后的吸收光谱较宽范围地覆盖了可见光谱区,这样的有机半导体掺杂工艺对于有机光伏器件和太阳能电池器件的应用研究具有重要意义.