污灌蔬菜中有机污染物致小鼠的遗传损伤与氧化损伤

[目的]研究污灌农产品有机提取物对小鼠的遗传损伤及其氧化损伤机制。[方法]选取某污灌农田产出的大白菜为研究对象,地下水灌溉的大白菜为对照,采用超声振荡法提取白菜中的有机污染物,对小鼠灌胃染毒后,进行单细胞凝胶电泳实验和微核试验及总超氧化物歧化酶(T-SOD)、谷胱甘肽过氧化物酶(GSH-PX)活力和丙二醛(MDA)含量的测定。[结果]与试剂对照组比较,对照区高剂量组的拖尾率增高、T-SOD活力降低(P﹤0.05);污灌区拖尾率和拖尾长度和微核率均增高,且高于对照区(P﹤0.05);污灌区T-SOD和GSH-PX活力均降低(P﹤0.01和P﹤0.05),且低于对照区(P﹤0.05)。[结论]该污灌区白菜中有机提取物中含有致小鼠遗传毒性及氧化损伤的有机污染物,其毒性强于对照区。

从选金厂出的活性炭的有机污塞物鉴定

鉴定在金氰络合物吸附过程中活性炭上有机污塞物的途径之一，就是采用热重分析法（TG）。但遗撼的是，热重分析法只能给出有机污塞物的总百分数，而不能查明各个化合物。然而，以前用纯试剂吸附在活性炭上的试验表明，当采用加热分解时，析出的气体是一种特定污塞剂的特征。本文报道了利用这一信息和3种热分解技术，即：热解吸－－高温分解－－气相色谱－－质谱法（TD－py－GC－MS）、热重分析－－质谱法（TG－MS）和热重分析－－傅里叶变换红外光 法（TG－FTIR），以查明从选金厂取出的活性炭样品上的有机污塞剂，对取自一家选金厂（A工厂）的一组样品进行的分析表明，正如在360－400℃检测到羰基硫化物所表明的那样，出现了由黄原酸盐引起的污塞，对于从另一家选金厂（B工厂）取出的活性炭，在大约370℃和215－540℃时分别检测到丙醛和羰基硫化物，表明出现的污寒分别是由于起泡剂和黄原酸盐而引起的。这些样品的热分析表明，析出了很多其它的气体说明存在着另外一些未知的有机污塞剂。

奶牛粪污-芦苇有机肥施用量对水稻产量及品质的影响

为了解奶牛粪污-芦苇有机肥施用量对水稻产量及品质的影响,探寻水稻种植中有机肥的适宜用量,采用随机区组设计,设置6个奶牛粪污-芦苇有机肥施用量处理,分别为0(不施奶牛粪污-芦苇有机肥)、7.5、15.0、22.5、30.0、37.5 t/hm^(2),对该有机肥不同施用量条件下水稻产量和品质进行了分析。结果表明,在施用奶牛粪污-芦苇有机肥条件下,以施用量15.0 t/hm^(2)处理水稻的产量最高,较不施奶牛粪污-芦苇有机肥处理增加了25.67%;施用量22.5 t/hm^(2)处理水稻的品质最佳,施用量15.0 t/hm^(2)处理次之。水稻的产量和品质随奶牛粪污-芦苇有机肥用量的增加而提高,但超过一定水平以后,水稻的产量和品质将不再提高。在水稻生产上,奶牛粪污-芦苇有机肥施用量以15.0 t/hm^(2)为宜。

用TOF-SIMS研究半导体芯片铝键合点上的有机沾污

铝键合点的表面沾污增强了对铝合金化表面的腐蚀，并导致微芯片的失效．过去大量的工作多集中在由等离子工艺引起的含氟的无机沾污；很少接触到键合点的有机沾污．飞行时间二次离子质谱（ＴＯＦ－ＳＩＭＳ）提供了一个探测和分析微芯片键合点上有机沾污的有力武器．作者比较了两个ＴＯＦ－ＳＩＭＳ的正离子谱，一个是经目检发现键合点有沾污点的芯片，另一个是无沾污芯片．根据对ＴＯＦ－ＳＩＭＳ特征谱线和离子像的研究，认为沾污点是由某些以ＣＨｘ和ＮＨｙ结构组成的有机化合物造成的，并对铝有腐蚀作用．经分析发现这些有机沾污来源于微芯片的工艺过程．

清洗工艺对AlN单晶抛光片表面有机沾污的影响

研究了化学机械抛光(CMP)后AlN单晶片的清洗。将除蜡剂清洗法、RCA清洗法、食人鱼溶液清洗法以及丙酮和异丙醇(IPA)的混合溶液清洗法等进行组合,对抛光后的AlN单晶片表面进行超声清洗,并通过微分干涉显微镜、原子力显微镜(AFM)及光电子能谱仪(XPS)对清洗效果进行了表征,并分析了不同清洗方法对有机沾污的去除效果。实验结果表明,RCA清洗法清洗后晶片表面残留的有机沾污的含量最低,而食人鱼溶液清洗法可显著减小有机颗粒的尺寸,除蜡剂与丙酮和异丙醇的混合溶液对有机沾污的去除效果相近。优化的清洗工艺以丙酮和异丙醇的混合溶液作为初步清洗溶液,随后依次对晶片进行食人鱼溶液清洗和RCA清洗,应用此优化工艺清洗后的AlN单晶片表面颗粒较少,C—H键、C=O键和C—OH键的百分比分别为75.5%、20.4%和4.1%,表面粗糙度为0.069 2 nm。

某电厂废水零排放系统污堵分析

某电厂采用“两级软化澄清+介质过滤+超滤+纳滤+反渗透”组合工艺处理循环水排污水,采用“化学软化+管式微滤+纳滤+海水淡化反渗透+电渗析+蒸发结晶”组合工艺处理末端废水,以实现全厂废水“零排放”。工程投运1年后,循环水处理系统出现纳滤出力不足,末端废水处理系统存在微滤膜有机污堵严重、电渗析硅结垢等问题。分析了膜污堵原因,对脱硫工艺用水进行了优化,从源头降低了脱硫废水化学需氧量(COD);同时优化了微滤运行方式,从而减缓了微滤有机污堵现象;此外,调整了循环水反渗透浓水处理方式,将全硅质量浓度降至1 mg/L以下后再进入电渗析设备,解决了电渗析硅结垢的问题。

IC工艺诱生有机沾污的表面质谱研究

铝键合点的表面沾污增加了对装饰品合金化表面的腐蚀，并可能导致微芯片的失效。过去大量的研究工作多集中在键合点上由等离子工艺引起的含氟无机沾污，而很少涉及到键合点上的有机沾污，ＴＯＦ－ＳＩＭＳ提供了一个探讨和分析微芯片链合点上有机沾污的有力手段。

硅油对低表面能有机硅防污涂料性能的影响

文章在分析海洋生物污损原理、影响低表面能防污涂料性能因素的基础上,研究纳米二氧化硅使用量对低表面能有机硅防污涂料性能的影响,研究硅油对低表面能有机硅防污涂料性能的影响,为增强辅助防污功能、扩大有机硅防污涂料使用范围奠定理论基础。

有机硅防污漆的性能及施工要点分析

低VOC产品的应用成为未来涂料应用发展的趋势,有机硅涂料适应了这一发展需求。本文针对有机硅防污漆的性能,以及在船舶上的施工要求,通过对涂料特点进行研究,对实船施工进行分析,制定了有机硅防污漆系统的施工流程及修补方案,为涂料顺利施工提供指导。

高渗透有机硅防水抗污涂料

中科院广州化学研究所的黄月文等人发现，经甲基三乙氧基硅烷、丁基三乙氧基硅烷、辛基三乙氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷二聚体、甲基烷氧基硅烷低聚物、甲基含氢环四硅氧烷、线性甲基含氢低聚硅氧烷、甲基含氢硅油处理的水泥砂浆砖，对水的接触角依次增大，吸水率依次减小；且提高涂布量，吸水率降低；添加催化剂有利于降低水泥砂浆砖的吸水率；

反渗透膜污堵原因分析及解决措施

某电厂反渗透系统运行中出现压力偏高、出力偏低以及清洗频繁等问题,对反渗透膜片的ICP、SEMEDX以及GC-MS等分析结果表明,有机污堵是造成反渗透系统故障的主要原因。采用NaOH、EDTA和SDS对膜片进行静态清洗试验,结果表明,EDTA碱洗对反渗透有机污堵清洗效果最好。采用EDTA碱洗和酸洗相结合的清洗方案对工程设备进行清洗后,反渗透运行压力和产水量基本恢复至初始状态。此外,结合电厂的实际运行情况,对水处理系统提出了运行优化方案。

反渗透的污堵及处理方法浅析

华能济宁电厂三期锅炉补给水处理系统中的2×40t/h反渗透装置自投运以来制水量长期达不到设计值,即使增加膜元件也无法使系统长时间保持设计流量。通过对运行数据、检修记录的分析,最终证实:投运初期即没有控制好杀菌剂的添加,从而发生了严重的有机物污堵是问题的关键。该事件证明在使用地下水作为水源的反渗透系统,是否需要杀菌也应根据生水系统的具体情况来确定。通过调整加药方式、定期化学清洗等方法,目前问题基本得到了控制。

氧化亚铜的疏水改性及其对防污涂料性能的影响

用3-(甲基丙烯酰氧基)丙基三甲氧基硅烷(TMSM)、乙烯基三甲氧基硅烷(VTS)及聚乙烯醇(PVA)对Cu2O颗粒表面有机改性,研究改性剂的种类、用量、搅拌速度及反应时间对改性效果的影响。结果表明:改性剂均提高了Cu2O的亲油性,改性效果排序为TMSM>VTS>PVA;TMSM用量为Cu2O的2mass%时,疏水效果最好,与H2O的接触角为132°;反应过程中搅拌越强烈,改性效果越好;搅拌时间一般控制在60min。以TMSM改性Cu2O为主防污剂的防污涂料,其抗沉降性和分散性能得到改善,涂料附着性能提高,抗冲击性能略下降。

无锡防污涂料的现状和发展(Ⅰ)

当今无锡自抛光防污涂料已经取得了实际成果,在开发有机助防污剂和天然防污产品方面也获得了相当大的进展。此外,指出了不粘防污损涂料和电防污体系是未来无毒防污技术中的重要发展方向。

飞行时间二次离子质谱结合X-射线光电子能谱分析化学清洗后残留的表面有机物

用飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)结合X射线光电子能谱,分析了用化学方法清洗后银片上残留的未知有机物.TOF-SIMS与XIPS提供的互补的表面信息显示,中分子量以上的有机物主要是几种链长22～27碳原子、碳链饱和度很高的多酮类化合物,可能还有一些多酯类化合物.这些有机物中的C=O基团易于采取氧原子指向金属基体表面的取向,通过带部分负电荷的氧原子与金属基体镜像力的作用而增强粘附.

电厂反渗透污堵分析及清洗方案制定

本文对某电厂300MW机组化水和660MW机组化水反渗透污堵特征数据进行比较,并结合近年的在线清洗情况分析产生污堵原因,制定更合理的清洗方案,为从事电厂反渗透运行、清洗的工作人员提供了技术参考。

“十二五”规划与中国功能型有机涂层板的崛起

文章通过对《中共中央关于制定国民经济和社会发展第十二个五年规划的建议》的解读,结合功能型有机涂层板的定义及分类,详尽论述了中国功能型有机涂层板的现状及未来发展趋势,并对其基板的现状及未来发展趋势进行了深入探讨。