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有机发光二极管中多种微观机制共存的有机磁效应 被引量:7
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作者 卢晨蕾 贾伟尧 +4 位作者 白江文 张巧明 令勇洲 刘虹 熊祖洪 《中国科学:技术科学》 EI CSCD 北大核心 2015年第4期396-402,共7页
为了探究有机发光二极管(OLEDs)中三重态激子参与的多种机制共同作用下磁场效应的变化规律,揭示复杂环境下OLEDs的性能变化规律,本文在具有较高三重态激子能量的磷光材料m CP中掺入单重态与三重态激子能量共振(ES≈2ET)的荧光染料Rubre... 为了探究有机发光二极管(OLEDs)中三重态激子参与的多种机制共同作用下磁场效应的变化规律,揭示复杂环境下OLEDs的性能变化规律,本文在具有较高三重态激子能量的磷光材料m CP中掺入单重态与三重态激子能量共振(ES≈2ET)的荧光染料Rubrene,制备了Rubrene掺杂型的OLEDs.实验发现,掺杂器件的电致发光磁场效应(MEL)表现出了复杂变化,且MEL的低场(B≤5 m T)和高场(5 m T≤B≤500 m T)部分随着掺杂浓度的改变都发生了明显的变化.这些MEL曲线可归结为掺杂体系内超精细相互作用、单重态激子裂变和三重态-三重态激子淬灭三种微观过程共同作用的结果;而不直接产生荧光的三重态激子,可以通过一些自旋混合过程,改变单重态激子的比例,从而对器件发光产生重要影响.器件的工作温度和注入电流密度对磁场效应的影响进一步证实了本研究组的观点. 展开更多
关键词 有机发光二极管 有机磁场效应 三重态激子
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有机发光二极管的光致磁电导效应 被引量:4
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作者 焦威 雷衍连 +4 位作者 张巧明 刘亚莉 陈林 游胤涛 熊祖洪 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第18期461-466,共6页
制备了结构为ITO/CuPc/NPB/Alq_3/LiF/Al的常规有机发光二极管,之后对器件采用波长为442 nm和325 nm的激光线进行照射产生激子,并在小偏压下(保证器件没有开启)对激子的演化过程进行控制,同时测量器件的光致磁电导(photo-induced magnet... 制备了结构为ITO/CuPc/NPB/Alq_3/LiF/Al的常规有机发光二极管,之后对器件采用波长为442 nm和325 nm的激光线进行照射产生激子,并在小偏压下(保证器件没有开启)对激子的演化过程进行控制,同时测量器件的光致磁电导(photo-induced magneto-conductance,PIMC).实验发现,不同于电注入产生激子的磁电导效应,PIMC在正、反小偏压下表现出明显不同的磁响应结果.当给器件加上正向小偏压时,器件的PIMC在0—40mT范围内迅速上升;随着磁场的进一步增大,该PIMC增加缓慢,并逐渐趋于饱和.反向小偏压时,器件的PIMC随着磁场也是先迅速增大(0—40 mT),但达到最大值后却又逐渐减小.通过分析外加磁场对器件光生载流子微观过程的影响,采用‘电子-空穴对'模型和超精细相互作用理论对正向偏压下的PIMC进行了解释;反向偏压下因各有机层的能级关系,为激子与电荷相互作用提供了必要条件,运用三重态激子与电荷的反应机制可以解释PIMC出现高场下降的实验现象. 展开更多
关键词 有机发光二极管 光生载流子 磁场效应 三重态激子-电荷反应
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A flexible magnetoelectric field-effect transistor with magnetically responsive nanohybrid gate dielectric layer 被引量:1
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作者 Nguyen Minh Triet Tran Quang Trung +4 位作者 Nguyen Thi Dieu Hien Saqib Siddiqui Do-ll Kim Jai Chan Lee Nae-Eung Lee 《Nano Research》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第10期3421-3429,共9页
Flexible magnetoelectric (ME) materials have been studied for new applications such as memory, energy harvesters, and magnetic field sensors. Herein, with the widely studied and progressive advantages of ME phenomen... Flexible magnetoelectric (ME) materials have been studied for new applications such as memory, energy harvesters, and magnetic field sensors. Herein, with the widely studied and progressive advantages of ME phenomena in the multiferroic field, we demonstrate a new approach for utilizing flexible ME materials as gate dielectric layers in ME organic field-effect transistors (ME-OFET) that can be used for sensing a magnetic field and extracting the ME properties of the gate dielectric itself. The magnetoelectric nanohybrid gate dielectric layer comprises sandwiched stacks of magnetostrictive CoFe2O4 nanoparticles and a highly piezoelectric poly(vinylidene fluoride-co-trifluoroethylene) layer. While varying the magnetic field applied to the ME gate dielectric, the ME effect in the functional gate dielectric modulates the channel conductance of the ME-OFET owing to a change in the effective gate field. The clear separation of the ME responses in the gate dielectric layer of ME-OFET from those of the other parameters was demonstrated using the AC gate biasing method and enabled the extraction of the ME coefficient of ME materials. Additionally, the device shows high stability after cyclic bending of 10,000 cycles at a banding radius of 1.2 cm. The device has significant potential for not only the extraction of the intrinsic characterization of ME materials but also the sensing of a magnetic field in integrated flexible electronic systems. 展开更多
关键词 MAGNETOELECTRIC MAGNETOSTRICTION CoFe2O4 nanoparticles P(VDF-TrFE) organic field-effecttransistor magnetic sensor
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