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肖特基势垒对铁磁/有机半导体结构自旋注入性质的影响
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作者 修明霞 任俊峰 +2 位作者 王玉梅 原晓波 胡贵超 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期8856-8861,共6页
理论研究了铁磁/有机半导体肖特基接触时的电流自旋极化注入,并讨论了电流自旋极化率随界面处肖特基势垒高度、有机半导体层中特殊载流子及其迁移率、界面附近掺杂浓度的变化关系.通过计算发现,寻找在势垒区中载流子迁移率比较大的有机... 理论研究了铁磁/有机半导体肖特基接触时的电流自旋极化注入,并讨论了电流自旋极化率随界面处肖特基势垒高度、有机半导体层中特殊载流子及其迁移率、界面附近掺杂浓度的变化关系.通过计算发现,寻找在势垒区中载流子迁移率比较大的有机半导体材料对实现有效的自旋注入是必要的;同时还发现,由于铁磁/有机半导体接触而形成的肖特基势垒不利于自旋注入.因此要想实现有效的自旋注入,界面附近必须采用重掺杂来有效减少势垒区的宽度,且势垒的高度要限制在一定的范围内. 展开更多
关键词 有机自旋注入 肖特基势垒 电流自旋极化率
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一维铁磁/有机共轭聚合物的自旋极化研究 被引量:6
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作者 付吉永 任俊峰 +1 位作者 刘德胜 解士杰 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期1989-1993,共5页
针对最近关于自旋注入有机体的实验研究 ,理论上计算了有机分子与磁性原子接触时的自旋极化现象 .通过调节磁性原子的自旋劈裂强度 ,发现有机分子链内的自旋极化弱于金属链 ,但强于半导体链 .同时还研究了有机分子链内自旋极化随电子
关键词 界面耦合 自旋极化 自旋劈裂 铁磁/有机共轭聚合物 自旋注入有机 庞磁电阻现象 凝聚态物理
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Carbon-based spintronics 被引量:1
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作者 CHEN Peng ZHANG GuangYu 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》 SCIE EI CAS 2013年第1期207-221,共15页
Carbon-based spintronics refers mainly to the spin injection and transport in carbon materials including carbon nanotubes,graphene,fullerene,and organic materials.In the last decade,extraordinary development has been ... Carbon-based spintronics refers mainly to the spin injection and transport in carbon materials including carbon nanotubes,graphene,fullerene,and organic materials.In the last decade,extraordinary development has been achieved for carbon-based spintronics,and the spin transport has been studied in both local and nonlocal spin valve devices.A series of theoretical and experimental studies have been done to reveal the spin relaxation mechanisms and spin transport properties in carbon materials,mostly for graphene and carbon nanotubes.In this article,we provide a brief review on spin injection and transport in graphene,carbon nanotubes,fullerene and organic thin films. 展开更多
关键词 CARBON SPINTRONICS spin injection spin transport spin valve
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Recent advances in spin transport in organic semiconductors 被引量:3
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作者 JIANG ShengWei YUE FengJuan +1 位作者 WANG Shen WU Di 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》 SCIE EI CAS 2013年第1期142-150,共9页
The spin relaxation time is long in organic semiconductors because of the weak spin-orbit and hyperfine interactions,leading to intensive study on spin transport in organic semiconductors.The rapid progress towards ut... The spin relaxation time is long in organic semiconductors because of the weak spin-orbit and hyperfine interactions,leading to intensive study on spin transport in organic semiconductors.The rapid progress towards utilizing spin degree of freedom in organic electronic devices is occurring.While the spin injection,transport and detection in organic semiconductors are demonstrated,the fundamental physics of these phenomena remains unclear.This paper highlights recent progress that has been made,focusing primarily on present experimental work. 展开更多
关键词 organic spintronics spin injection spin transport spin relaxation
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