聚酰亚胺在非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管器件中的钝化应用

提出了采用聚酰亚胺(PI)作为非晶铟镓锌氧(a-IGZO)薄膜晶体管(Thin-film Transistors,TFT)钝化层的制备工艺。PI成膜采用旋涂工艺,可减少钝化层成膜工艺对TFT器件沟道层的破坏,降低对器件性能的影响。PI可作为有效的钝化层,从而避免因有源层a-IGZO沟道表面气体分子吸附效应造成的TFT器件特性恶化。此外,采用PI作为钝化层的a-IGZO TFT器件,其负栅压应力(Negative Gate-bias Stress,NBS)下稳定性得到改善,可能与PI烘烤固化过程中扩散进入器件内部的氢(H)钝化有源层内的缺陷相关。