有机静电感应三极管(OSIT)静态工作特性的解析

在分析SIT器件电流-电压特性的理论基础上,对由有机半导体材料酞氰铜制作的有机SIT进行了静态特性的测试,通过对测试曲线进行数据拟合与解析,得出一系列OSIT在不同偏压条件下,电流-电压的表达式,数据解析结果表明,有机SIT器件的静态特性同无机SIT器件静态特性的理论分析基本相符。

酞菁铜有机静电感应三极管动作特性研究

介绍了由有机半导体材料酞菁铜制作的具有 Au/CuPc/Al/CuPc/Au 三明治结构的肖特基型栅极有机静电感应三极管。根据对该三极管测试,采用适当的数学工具,对其参数进行计算。通过 I - V 方程的拟合,对其动作特性进行了研究。通过对小信号等效电路模型的仿真计算,得出其截止频率,并提出了改善其动作特性的途径。

酞菁铜薄膜有机静电感应三极管动作特性分析

利用有机半导体酞菁铜制作的静电感应三极管(OSIT)进行测试所得的数据,分析了酞菁铜/铝-肖特基势垒的整流特性和静态特性.利用线性插值的方法得到反向偏压下的整流关系式,对OSIT的不饱和静态特性作了进一步的解析,分析了VGS影响OSIT特性的原因.

单极型有机静电感应三极管沟道纵向电势分析

研究了单极型有机半导体酞菁铜静电感应三极管(OSIT)导电沟道内纵向电势分布． 依据电磁场理论,应用有限元法对其导电沟道内的电势分布进行了数值计算与解析．解析结果证 明,导电沟道内鞍部点附近纵向的一维电势分布满足二次方关系．

薄膜铝栅极有机半导体静电感应三极管的试制及动作特性

试制的有机静电感应三极管采用真空蒸镀法和有机色素酞菁铜(CuPc),制成Au/CuPc/Al/CuPc/Au五层结构,制作的薄膜铝栅极有机静电感应三极管,在偏置电压为V_(DS)=3V,V_(GS)=0V时,静态动作电流I_(DS)=1.2×10^(-6)A/mm^2,动态小信号响应频率可达到1000Hz。实验结果表明,与采用MOS结构的CuPc有机薄膜三极管相比,该三极管驱动电压低,呈典型的静电感应三极管不饱和电流-电压特性。

栅极长度变化与有机静电感应三极管工作特性之间关系的数值解析

根据实际制作的有机静电感应三极管(OSIT)建立有机静电感应三极管的物理模型,选取合适的结构参数,采用有限元法计算OSIT内部的电位数值解,依据OSIT导电沟道内的电位分布,分析栅极长度变化对OSIT工作特性的影响。

有机静电感应三极管交流小信号检测电路设计

针对有机静电感应三极管动态特性的检测,设计微电流检测电路.电路的电流检测范围10-9～10-6A,频率范围20kHz.根据已制备的酞菁铜有机薄膜静电感应三极管的电气参数,建立小信号等效电路来分析有机薄膜静电感应三极管的特性,并对等效电路的动态特性进行了仿真.通过仿真结果与实测结果一致性,证实了检测电路和等效电路的可行性,并根据仿真结果提出了改进器件动态性能的方法:减小极间电容,提高电导率.

有机静电感应三极管的有限元法仿真解析

通过合理建立有机静电感应三极管(OSIT)的物理仿真模型及选取合适的结构参数,采用有限元法,对OSIT在不同偏压下仿真计算其内部电位分布,导电沟道内部电位分布,进而分析OSIT的工作特性,进行了探索性研究.依据仿真计算结果,获得OSIT以及OSIT的工作特性与偏压和结构参数的依赖关系.

基于实验结果的有机半导体薄膜三极管动作特性解析

根据采用有机半导体材料酞菁铜制作的有机静电感应三极管的测试结果,使用适当电路模型和数学工具,进行数值仿真解析,对其动作机理和电气特性进行了解析和评价。

有机薄膜光敏三极管动态特性及其应用

为研究试制的有机半导体酞菁铜薄膜静电感应光敏三极管的动态特性,采用电阻分压的方法检测对方波信号的响应速度,测定上升时间为268.1ns.根据所测得的参数,建立了该三极管的微变等效电路,并对参数对器件工作的影响进行了分析.结果证明该器件可以在大面积图像感光传感器中使用,并根据其光敏特性和动态特性,提出了图像感光阵列的设计方法和工作原理.

有源驱动有机半导体发光三极管

研制了有源驱动的有机发光显示器件—具有有机静电感应三极管结构的有机电致发光三极管,并测试评价了其基本电气、光学特性,研制的有机电致发光三极管,采用酞氰铜和喹啉铝蒸发膜作为作用层,由测试结果可知,较低的栅极偏压可控制由源极注入到喹啉铝发光层的载流子,通过合理设计、控制制作梳状铝栅极结构,获得了高速、高电流密度等良好的三极管工作特性。