栅源距离对有机静电感应晶体管特性的影响

用根据实际制作的有机静电感应晶体管(OSIT)建立物理模型,Matlab软件中的偏微分工具箱通过有限元法对有机静电感应晶体管特性进行解析,着重分析栅源距离对有机静电感应晶体管特性的影响,特别是沟道电势分布的影响.结果表明,调节栅源距离能有效控制沟道势垒高度,从而影响载流子的传输.

栅极长度变化对有机静电感应晶体管工作特性影响解析

根据实际制作的有机静电感应晶体管(OSIT)建立物理模型,选取相应的结构参数,应用有限元法,对OSIT导电沟道内的电势进行离散化数值分析.依据导电沟道内的电势分布,分析了栅极长度变化对OSIT工作特性的影响.

沟道宽度对有机静电感应三极管工作特性的影响

对于实际有机静电感应晶体管(Organic Static Induction Transistor,简称OSIT)器件,采用Marc有限元法建立物理模型,选取合适的结构参数,对OSIT导电沟道内的电势进行离散化数值分析.依据导电沟道内的电势分布,分析沟道宽度变化对OSIT工作特性的影响.在恒定栅压和漏压下,宽度的增大会使栅极对鞍部点控制能力减弱,沟道内势垒降低,从而导致工作电流的增大.该结论可为如何获取良好的OSIT输出特性提供依据.