期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
一种高频单片GaN DC-DC降压转换器设计
1
作者 何凡 沈红伟 +1 位作者 来龙坤 罗卫军 《微电子学》 CAS 北大核心 2024年第3期417-423,共7页
基于全耗尽型(D-mode)0.25μm硅基氮化镓(GaN-on-Si)工艺,设计了一款高频单片GaN DC-DC降压转换器芯片。该芯片集成了驱动电路和半桥功率级电路,驱动电路中电平放大功能通过有源上拉结构实现,在100~200 MHz频率范围内,单片GaN DC-DC降... 基于全耗尽型(D-mode)0.25μm硅基氮化镓(GaN-on-Si)工艺,设计了一款高频单片GaN DC-DC降压转换器芯片。该芯片集成了驱动电路和半桥功率级电路,驱动电路中电平放大功能通过有源上拉结构实现,在100~200 MHz频率范围内,单片GaN DC-DC降压转换器可直接被0.7 V的高速脉冲信号控制,无需片外模块,其峰值功率级效率达到92.2%,峰值总效率达到84.24%,峰值功率为7.7 W。相较于前期工作,芯片工作范围从100 MHz提升至200 MHz,在保证芯片效率性能的情况下,实现了对工作频率的大幅提升。 展开更多
关键词 GaN DC-DC降压转换器 单片电路 驱动电路 有源上拉结构
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部