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有源半导体非线性器件的光通信网络关键技术的应用
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作者 王安梅 《激光杂志》 北大核心 2015年第6期118-120,共3页
光通信网络主要利用光纤维的丰厚带宽资源,光信号处理技术是通信网络的关键所在。当前,非线性器件中的非线性效应,是应用全光信号处理技术的主要方式。本文主要介绍了网络技术的不断发展中光网络技术的发展现状及进程,并浅析了在接入网... 光通信网络主要利用光纤维的丰厚带宽资源,光信号处理技术是通信网络的关键所在。当前,非线性器件中的非线性效应,是应用全光信号处理技术的主要方式。本文主要介绍了网络技术的不断发展中光网络技术的发展现状及进程,并浅析了在接入网和传送网中,光网络所起到的关键作用,也指出了未来发展中所面临的挑战。同时还分析了光通信网络发展中,光信号处理技术的实现流程及其研究现状。 展开更多
关键词 有源半导体 非线性 光通信网络 半导体器件
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质子辐射下互补金属氧化物半导体有源像素传感器暗信号退化机理研究 被引量:6
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作者 汪波 李豫东 +5 位作者 郭旗 刘昌举 文林 任迪远 曾骏哲 玛丽娅 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期189-195,共7页
对某国产0.5μm工艺制造的互补金属氧化物半导体有源像素传感器进行了10 Me V质子辐射试验,当辐射注量达到预定注量点时,采用离线的测试方法,定量测试了器件暗信号的变化情况.试验结果表明,随着辐射注量的增加暗信号迅速增大.采用MULASS... 对某国产0.5μm工艺制造的互补金属氧化物半导体有源像素传感器进行了10 Me V质子辐射试验,当辐射注量达到预定注量点时,采用离线的测试方法,定量测试了器件暗信号的变化情况.试验结果表明,随着辐射注量的增加暗信号迅速增大.采用MULASSIS(multi-layered shielding simulation software)软件计算了电离损伤剂量和位移损伤剂量,在与γ辐射试验数据对比的基础上,结合器件结构和工艺参数,建立了分离质子辐射引起的电离效应和位移效应理论模型,深入分析了器件暗信号的退化机理.研究结果表明,对该国产器件而言,电离效应导致的表面暗信号和位移效应导致的体暗信号对整个器件暗信号退化的贡献大致相当. 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体有源像素传感器 暗信号 质子辐射 位移效应
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CMOS有源像素传感器辐射损伤对星敏感器星图识别影响机理与识别算法 被引量:1
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作者 冯婕 崔益豪 +2 位作者 李豫东 文林 郭旗 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第18期217-225,共9页
为分析恶劣空间辐射环境导致星敏感器性能退化、姿态测量精度降低的原因,深入研究了^(60)Co-γ射线辐射环境下互补金属氧化物半导体有源像素传感器(complementary metal oxide semiconductor active pixel sensor,CMOS APS)电离总剂量... 为分析恶劣空间辐射环境导致星敏感器性能退化、姿态测量精度降低的原因,深入研究了^(60)Co-γ射线辐射环境下互补金属氧化物半导体有源像素传感器(complementary metal oxide semiconductor active pixel sensor,CMOS APS)电离总剂量效应对星敏感器星图识别的影响机理.通过搭建外场观星试验系统,实际观测天顶和猎户座天区,经过星图数据采集、星点提取与星图识别等试验流程,获得^(60)Co-γ射线辐照后CMOS APS噪声对星图背景灰度均值、识别星点数量的影响机理,并提出一种寻找被辐射噪声湮没星点的识别算法.通过理论推导分别建立了CMOS APS暗电流噪声、暗信号非均匀性噪声和光响应非均匀性噪声与星点质心定位误差的定量关系.研究结果表明^(60)Co-γ射线辐照后星敏感器星图背景灰度均值增大、星点识别数量减少,CMOS APS辐照后噪声增大导致星点质心定位误差增大,从而影响星敏感器的姿态定位精度,该研究结果为高精度星敏感器的设计和抗辐射加固提供一定的理论依据. 展开更多
关键词 星敏感器 辐射损伤机理 星图识别 互补金属氧化物半导体有源像素传感器 识别算法
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4T-PPD-APS光子辐射响应特性分析 被引量:1
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作者 徐守龙 邹树梁 +2 位作者 黄有骏 匡雅 郭赞 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第5期22-27,共6页
分析了含有4个晶体管的钳位光电二极管有源像素传感器(4T-PPD-APS)的结构特点以及γ射线光子在像元内的能量沉积过程。通过建立传感器像元及像素阵列仿真计算模型,并结合γ射线辐射响应实验,对有源像素传感器(APS)在不同光子能量及不同... 分析了含有4个晶体管的钳位光电二极管有源像素传感器(4T-PPD-APS)的结构特点以及γ射线光子在像元内的能量沉积过程。通过建立传感器像元及像素阵列仿真计算模型,并结合γ射线辐射响应实验,对有源像素传感器(APS)在不同光子能量及不同放射性水平条件下的响应特性进行了研究。研究结果表明:γ光子在光电二极管空间电荷区内沉积能量并形成扩散光电流是APS发生光子响应现象的根本原因;像素值的平均值随剂量率的增大呈先增大后趋于饱和的趋势;当典型事件区域内出现多个峰值时,像素值的统计值不能准确反映辐射场放射性水平。 展开更多
关键词 探测器 互补金属氧化物半导体有源像素传感器 光子辐射响应 钳位光电二极管
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