5．2～5．8GHz有源巴仑MMIC

采用0．5μm GaAs pHEMT工艺研制的5．2～5．8GHz有源单片式巴仑芯片，最终测试表明：工作带宽之内，芯片输入输出驻波均小于1．5，两输出端幅度之差最大为0．8dB（@5．8GHz），最小为0．08dB（@5．6GHz）,相位之差为174．3°（@5．2GHz）到180．6°（@5．8GHz），与理想差分比较，带内误差小于6°，双端输出时具有明显的功率增益，约在1．7～4．95dB之间，P1dH输出功率为10．5dBm左右，二次谐波失真比HDz典型值为-30dBc。

适用于中国UWB标准0.18μm CMOS发射机前端研制

基于0.18μm CMOS工艺设计了一款适用于中国超宽带(UWB)标准的发射机前端。该发射机前端通过在片内集成有源巴仑,实现了信号先差分至单端转化、后信号放大的策略,不仅提高了系统集成度而且有利于降低系统功耗。同时,提出折叠PMOS跨导技术使混频器的线性度得以提升,利于增大发射链路中低频放大器的增益比重以减轻高频放大器的压力。最终,对前端电路应用并联峰化技术,满足了系统对带宽的要求。芯片采用COB(chip on board)方式测试,结果表明:射频输出端口在5～11.5 GHz内匹配良好,系统的IP-1dB约为-2 dBm。芯片面积为0.8 mm×1.1 mm,工作电压1.8 V时消耗电流20.4 mA。为中国超宽带(UWB)标准的进一步研究提供了参考。