一种0.9V低电压低本振功率CMOS有源混频器

设计了一种可工作于0.9 V低电压和-5 dBm本振功率的CMOS有源混频器。通过在MOS管栅极和衬底间引入耦合电容,利用衬底效应加快MOS管的导通和截止,使开关对的开关状态更理想,有效地降低混频器的噪声并提高其线性特性。采用0.18μmCMOS工艺设计,在2.45 GHz本振信号和2.44 GHz射频信号输入下,实验结果表明该混频器可有效地实现混频且具有较好的性能指标:电压转换增益为12.4 dB,输入三阶截断点为-0.6 dBm,输入1dB压缩点为-3.4 dBm,单边带噪声系数为12dB。

CMOS有源混频器噪声的分析与仿真

基于线性时变理论,对有源CMOS混频器的噪声特性进行系统的分析。引入冲击敏感函数(ISF)来解释混频器噪声的周期性,进而推导其线性时变冲击响应解析式,并获得噪声系数的显式表达式。理论合理地阐明了混频器噪声的周期叠加机理,仿真结果验证了理论推导。

基于CMOS工艺V-NPN晶体管设计的用于接收机的双极型有源混频器

随着声纳通信技术的发展,需要使用CMOS工艺设计用于声纳通信接收机中的低噪声低频混频器。由于MOSFETs的闪烁噪声拐角频率通常在几MHz,在低频工作时会有非常大的闪烁噪声。这使得用MOSFETs设计的传统CMOS有源混频器,在低频低噪声系统中不能使用。本文提出了使用深N阱CMOS工艺中的垂直寄生NPN晶体管(V-NPN)设计的双极型有源混频器。该垂直寄生NPN晶体管的闪烁噪声拐角频率通常为几KHz,因此可以用来设计低噪声低频混频器。本文使用0.18μmCMOS工艺中的V-NPN晶体管设计了一个双极型有源混频器。仿真结果显示,工作电压为3.3V,LO频率为50KHz,RF频率为40KHz时,该双极型有源混频器的电压增益为18.3dB,NFdsb为15.99dB,等效输出噪声,P1dB为-9.88dBm,IIP3为-1.65dBm。

基于有源混频器LT5560的低成本下变频混频器设计

LT5560是采用第二代高频双极型工艺制造的低功耗双平衡有源混频器,可用于便携式无线电装置、VHF/UHF双向无线电通信系统中的上变频和下变频应用。文中介绍了LT5560的主要特点和引脚功能,给出了用LT5560设计900MHz低成本下变频混频器的典型电路和设计方法。

基于有源混频器的电源降噪与散热处理

本文基于有源混频器的供电需求,介绍了电源芯片噪声对混频器中频输出的影响,通过实际测试验证电源芯片输出电容容值对底噪的影响,并讨论了如何选择输出电容以提高电源芯片的稳定性;阐述电源芯片功耗对结温的影响,以及如何提高电源芯片的散热效率。

LT5521：高线性度有源混频器

射频(RF)有源发送混频器LT5521的线性度和信噪比性能可与无源混频器相匹配．除了用在宽带CDMA、UMTS、GSM和PHS基站发送器中．其低失真特性还使其成为电缆下行链路基础设施设备的理想选择。LT5521采用一个差分输入和输出架构．在10MHz至3．7GHz的宽工作频率范围内具有极佳的线性度。它还具有灵活的工作方式，

凌特两款RF有源混频器

凌特公司(Linear Technology)两款新的RF有源混频器具有低功率和高性能，非常适用于无线基础设施收发器和便携式无线电应用。LT5525和LT5526消耗的功率仅为其它高性能混频器的一半，同时具有卓越的线性度，可满足蜂窝和无线中继器、基站、点到点无线链路和移动无线电设备的要求。

高性能低功率有源混频器为3.3-3.8GHz WiMAX应用转换频率

LT5560是一种双平衡有源混频器，它采用高频双极型工艺制造，实现了较宽的带宽和非常低的功耗。其信号端口几乎可在从DC直到4GHz的频率上工作，这为上变频和下变频转换应用提供了方便。在恰当匹配的情况下，能以低成本、低直流功耗和高性能将频率转换为3．3GHz～3．8GHz的WiMAX工作频率或对3．3GHz～3．8GHz范围的频率进行转换。大多数无源混频器都有几个dB的转换损耗，并需要高LO驱动电平。而这种新型有源混频器却能提供转换增益，而且LO信号功率仅为-2dBm。

凌特推出RF有源混频器LT5525和LT5526

凌特(Linear)日前推出新的RF有源混频器LT5525和LT5526具有低功率和高性能，适用于无线基础设施收发器和便携式无线电应用。

差分驱动优化有源混频器——可利用差分驱动来优化用于宽带和可重新配置无线电接收机的有源混频器和同相/正交(I/Q)解调器性能

宽带有源混频器和同相／正交（I／Q）解调器可在3个以上的倍频程内提供出色的性能。因此，这些器件可用于针对宽带应用和多频段应用的接收机设计。利用差分而非单端信号驱动这些器件，则双平衡混频器和I／Q解调器可获得最佳性能。这样，就必须在混频器RF和本振（LO）端口使用巴伦。

凌特高性能RF有源混频器的工作电压可低至3V

凌特公司前不久推出两款低功率高性能RF有源混频器——LT5525和LT5526。该器件适用于无线基础段施收发器和便携式无线电应用。其消耗的功率仅为其它高性能混频器的一半，线性度可满足蜂窝和无线中继器、点到点无线链路和移动无线电设备的要求。

LT5525／6：RF有源混频器

凌特公司推出两款RF有源混频器LT5525和LT5526，它们具有低功率和高性能，适用于无线基础设施收发器和便携式无线电应用。LT5525和LT5526消耗的功率仅为其它高性能混频器的一半，同时具有较好的线性度，可满足蜂窝和无线中继器、皮基站、点到点无线链路和移动无线电设备的要求。

凌特推出变频RF有源混频器

凌特公司(Linear Technology)新推出两款集成了RF变压器的变频RF有源混频器，能够提供卓越性能、线性度和低功率消耗。LT5519和LT5520有源混频器理想地结合了低失真、低LO(本地振荡器)驱动要求、端口到端口高度隔离、低转换损耗、以及易用等性能。LT5519在0．7GHz到1．4GHz范围内运行，LT5520则涵盖1.3GHz到2．3GHz频带，而不需要外置的匹配器件。此外，它们单端运行简化了设计工作。这些设备满足了无线基础设施市场的性能要求，能够应用在蜂窝基站、线缆调制解调器、视频点播头端设备及高性能卫星收发器。

一款工作于2.4GHz频段的带有源负载的高性能双平衡有源混频器(英文)

对带有源负载的CMOS双平衡Gilbert有源混频器的1/f噪声、线性度与转换增益进行深入分析。这款采用PMOSFETs做负载的混频器工作于2.4 GHz频段。为降低混频器的1/f噪声,利用双阱工艺中的寄生垂直NPN晶体管作为开关,同时在PMOSFETs处并联最低噪声的分流电路作为负载。运用在PMOSFETs处的高性能运算放大器,不仅为零中频输出提供了合适的直流偏置电压,以避免下级电路的饱和,并能够为混频器提供足够高的转换增益。同时,在输入跨导(Gm)级电路中采用电容交叉耦合电路能够将转换增益进一步提高。为了增加混频器的线性度,采用共栅放大器作为输入跨导级电路。这款混频器采用TSMC 0.18μm 1-Poly6-Metal RF CMOS工艺,在1.5 V电源电压、3 mA的电流消耗下获得了17.78 dB的转换增益、13.24 dB的噪声因子和4.45 dBm输入三阶交调点的高性能。