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采用有源衰减器的集成CMOS四象限模拟乘法器
1
作者
王丕兰
叶润玉
《福建工程学院学报》
CAS
2005年第1期75-78,共4页
采用MOS有源衰减器和Gilbert单元设计一种能扩展线性输入范围的集成CMOS四象限模拟乘法器的电路结构,对其电压传输特性进行了理论分析,对其直流、交流、瞬态特性进行了PSPICE程序模拟并提供了模拟结果。
关键词
模拟乘法器
有源衰减器
CMOS集成电路
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职称材料
有源衰减器及其应用研究
2
作者
邵牟舟
徐中亚
+1 位作者
杨洁
秦世才
《半导体杂志》
1996年第1期1-4,共4页
本文提出了一种有源MOS衰减器,并探讨了这种有源衰减器对MOS Gilbert单元输入范围的改善。SPICE(模型LEVEL Ⅱ)模拟结果表明,该有源MOS衰减器结构简单,原理正确,并且有较宽的线性输入范围。
关键词
应用
有源衰减器
MOS
集成电路
下载PDF
职称材料
一种采用SiGe HBT的新型超宽带有源可调衰减器
3
作者
邢光辉
张万荣
+6 位作者
谢红云
丁春宝
陈亮
郭振杰
路志义
张瑜洁
周永强
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第1期10-13,共4页
提出一种以SiGe HBT为有源器件的超宽带有源可调衰减器。在超宽频带内实现了宽增益调节范围和高线性度。详细分析了有源衰减器的最小插入损耗及最大衰减量,基于Jazz 0.35μm SiGe HBT工艺,通过选择合适的SiGe HBT有源器件,完成了超宽带...
提出一种以SiGe HBT为有源器件的超宽带有源可调衰减器。在超宽频带内实现了宽增益调节范围和高线性度。详细分析了有源衰减器的最小插入损耗及最大衰减量,基于Jazz 0.35μm SiGe HBT工艺,通过选择合适的SiGe HBT有源器件,完成了超宽带有源可调衰减器的设计。利用安捷伦公司的ADS仿真软件,对设计的有源可调衰减器进行仿真验证。结果表明,在3.1~10.6GHz的超宽带内,当电压在0.4~1.8V的范围内变化时,该有源可调衰减器的增益动态范围大于50dB,S11在整个电压变化范围内均低于-10dB,且输入3阶交调点(IIP3)为13dBm。
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关键词
超宽带
有源衰减器
可调
衰减器
SIGE
HBT
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职称材料
一种利用衰减器实现的超宽带可变增益放大器
被引量:
3
4
作者
邢光辉
张万荣
+5 位作者
谢红云
丁春宝
郭振杰
路志义
张瑜洁
张卿远
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第4期468-471,479,共5页
提出了一种基于有源可调衰减器的超宽带可变增益放大器,以有源可调衰减器作为可变增益放大器的核心,并与高增益放大器级联,在3.1~10.6GHz超宽频带内实现了宽动态增益调节范围。基于Jazz 0.35μm SiGe HBT工艺,完成了超宽带可变增益放...
提出了一种基于有源可调衰减器的超宽带可变增益放大器,以有源可调衰减器作为可变增益放大器的核心,并与高增益放大器级联,在3.1~10.6GHz超宽频带内实现了宽动态增益调节范围。基于Jazz 0.35μm SiGe HBT工艺,完成了超宽带可变增益放大器的设计,利用安捷伦公司的ADS仿真软件进行仿真验证。结果表明,在3.1~10.6GHz的超宽频带内,当电压在0.7~2.0V的范围内变化时,该放大器的动态增益变化范围大于60dB,3dB带宽大于7GHz,在整个电压变化范围内,S11和S22均低于-10dB,在最大增益处,噪声系数小于5dB。
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关键词
超宽带
可变增益放大器
有源
可调
衰减器
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职称材料
一种结构简单的低压CMOS四象限模拟乘法器
被引量:
5
5
作者
管慧
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第3期211-214,219,共5页
提出了一种结构简单、采用有源衰减器的低压CMOS四象限模拟乘法器。详细分析了电路的结构和设计原理,给出了电路的PSPICE模拟结果。模拟结果表明,当电源电压为±1.5V时,功耗小于80μW,线性输入电压范围约为...
提出了一种结构简单、采用有源衰减器的低压CMOS四象限模拟乘法器。详细分析了电路的结构和设计原理,给出了电路的PSPICE模拟结果。模拟结果表明,当电源电压为±1.5V时,功耗小于80μW,线性输入电压范围约为±0.5V;当输入电压范围限于±0.3V时,非线性误差小于1.3%;-3dB带宽约为3.2MHz。该乘法器电路可应用于低压模拟信号处理电路中。
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关键词
CMOS
有源衰减器
模拟乘法器
模拟信号处理
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职称材料
一种新型低压COMS四象限模拟乘法器
被引量:
1
6
作者
宋树祥
曹才开
《电子工程师》
2005年第5期16-18,55,共4页
提出了一种采用有源衰减器和全差分电流传输器(FDCCⅡ)为核心的新型低压CMOS四象限模拟乘法器。PSPICE仿真表明,当电源电压为±1. 5V时,电路功耗小于75μW。该乘法器电路具有较好的线性输入范围,达到±1V,当输入电压范围限于...
提出了一种采用有源衰减器和全差分电流传输器(FDCCⅡ)为核心的新型低压CMOS四象限模拟乘法器。PSPICE仿真表明,当电源电压为±1. 5V时,电路功耗小于75μW。该乘法器电路具有较好的线性输入范围,达到±1V,当输入电压范围限于±0. 8V时,非线性误差小于0. 6%, -3dB带宽约为10MHz。
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关键词
CMOS
有源衰减器
四象限模拟乘法器
下载PDF
职称材料
一种新型低压COMS四象限模拟乘法器
7
作者
宋树祥
王卫东
《桂林电子工业学院学报》
2005年第1期35-38,共4页
一种新型低压CMOS四象限模拟乘法器以源衰减器和全差分电流传输器(FDCC )为核心,当电源电压为±1.5V时,电路功耗小于75μW.该乘法器电路具有较好的线性输入范围,达到±1V,当输入电压范围限于±0.8V时,非线性误差小于0.6%,-...
一种新型低压CMOS四象限模拟乘法器以源衰减器和全差分电流传输器(FDCC )为核心,当电源电压为±1.5V时,电路功耗小于75μW.该乘法器电路具有较好的线性输入范围,达到±1V,当输入电压范围限于±0.8V时,非线性误差小于0.6%,-3dB带宽约为10MHz.
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关键词
CMOS
有源衰减器
四象限模拟乘法器
下载PDF
职称材料
一种宽输入范围CMOS模拟乘法器的优化设计
被引量:
3
8
作者
戴瀚斌
张玉明
+1 位作者
张义门
郭辉
《现代电子技术》
2008年第1期140-143,共4页
设计了一种基于CMOS工艺设计的宽输入范围的Gilbert单元乘法器。通过在乘法器的输入端加入有源衰减器和电位平移电路,增大了乘法器的输入范围(±4 V)。该乘法器采用TSMC 0.35μm的CMOS工艺进行设计,并用HSpice仿真器对电路进行了仿...
设计了一种基于CMOS工艺设计的宽输入范围的Gilbert单元乘法器。通过在乘法器的输入端加入有源衰减器和电位平移电路,增大了乘法器的输入范围(±4 V)。该乘法器采用TSMC 0.35μm的CMOS工艺进行设计,并用HSpice仿真器对电路进行了仿真,得到了电源电压为±4 V,以及线性电压输入范围为±4 V时,非线性误差小于1.0%,乘法运算误差小于0.3%,x输入端的-3 dB带宽为470 MHz,y输入端的-3 dB带宽为4.20 GHz的良好结果,整个乘法器电路的功耗为2.82 mW。
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关键词
CMOS模拟乘法器
GILBERT单元
有源衰减器
宽输入范围
下载PDF
职称材料
高线性度CMOS模拟乘法器设计与仿真
被引量:
3
9
作者
丁坤
田睿智
+3 位作者
汪涛
王鹏
易茂祥
张庆哲
《电子技术应用》
2020年第1期52-56,61,共6页
设计和仿真了一种高线性度CMOS模拟乘法器。采用有源衰减器对输入信号进行预处理,CMOS Gilbert乘法单元对信号进行乘法运算,同时设计了偏置电路。在±1.8 V电源电压下,输入范围为±0.6 V时,通过优化器件参数,乘法器输出幅度小于...
设计和仿真了一种高线性度CMOS模拟乘法器。采用有源衰减器对输入信号进行预处理,CMOS Gilbert乘法单元对信号进行乘法运算,同时设计了偏置电路。在±1.8 V电源电压下,输入范围为±0.6 V时,通过优化器件参数,乘法器输出幅度小于±25 mV且具有高线性度。乘法器-3 dB带宽为181 MHz,有着良好的倍频特性。此外,对乘法器的温度特性进行了仿真,讨论了线性度与输出幅度之间的关系,优化设计了乘法器版图。在较宽输入范围内,本文乘法器线性度明显高于参考文献。
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关键词
模拟乘法器
CMOS
Gilbert单元
有源衰减器
高线性度
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职称材料
一种高性能的CMOS四象限模拟乘法器
被引量:
1
10
作者
孙立平
刘阳
+1 位作者
李联
凌燮亭
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第8期48-51,共4页
本文介绍了一种带预处理电路的CMOS四象限模拟乘法器,对其预处理电路(有源衰减器及电平位移电路)和乘法器核心电路的非线性误差作了详细的讨论.设计采用3微米N阱硅栅CMOS工艺,并给出了电路的SPICE模拟结果.当电源...
本文介绍了一种带预处理电路的CMOS四象限模拟乘法器,对其预处理电路(有源衰减器及电平位移电路)和乘法器核心电路的非线性误差作了详细的讨论.设计采用3微米N阱硅栅CMOS工艺,并给出了电路的SPICE模拟结果.当电源电压为±5V时,功耗小于6.5mW,线性输入电压范围约为±4V;当输入电压范围限于±3V内时,总谐波失真和非线性误差均小于0.33%,-3dB带宽为13.0MHz和2.2MHz;当输入电压范围限于±2V内时,总谐波失真小于0.18%,具有良好的性能.
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关键词
有源衰减器
CMOS
模拟集成电路
模拟乘法器
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职称材料
一种高线性度的CMOS调幅电路设计
11
作者
田贞富
吴玉广
《电子设计应用》
2007年第2期92-94,97,共4页
本文设计出一种CMOS工艺调幅电路,该电路具有线性输入范围宽、线性度高的特点。文中介绍了该电路的结构,分析了电路基本工作原理,并使用仿真软件Pspice给出了电路的模拟仿真结果。
关键词
线性化压控源耦对
有源衰减器
CMOS模拟乘法器
幅度调制
正弦脉宽调制
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职称材料
题名
采用有源衰减器的集成CMOS四象限模拟乘法器
1
作者
王丕兰
叶润玉
机构
福建工程学院电子信息与电气工程系
出处
《福建工程学院学报》
CAS
2005年第1期75-78,共4页
文摘
采用MOS有源衰减器和Gilbert单元设计一种能扩展线性输入范围的集成CMOS四象限模拟乘法器的电路结构,对其电压传输特性进行了理论分析,对其直流、交流、瞬态特性进行了PSPICE程序模拟并提供了模拟结果。
关键词
模拟乘法器
有源衰减器
CMOS集成电路
Keywords
analog multiplier
active-attenuator
CMOS integrated circuit
分类号
TN403 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
有源衰减器及其应用研究
2
作者
邵牟舟
徐中亚
杨洁
秦世才
机构
南开大学电子系
出处
《半导体杂志》
1996年第1期1-4,共4页
文摘
本文提出了一种有源MOS衰减器,并探讨了这种有源衰减器对MOS Gilbert单元输入范围的改善。SPICE(模型LEVEL Ⅱ)模拟结果表明,该有源MOS衰减器结构简单,原理正确,并且有较宽的线性输入范围。
关键词
应用
有源衰减器
MOS
集成电路
分类号
TN715.09 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
一种采用SiGe HBT的新型超宽带有源可调衰减器
3
作者
邢光辉
张万荣
谢红云
丁春宝
陈亮
郭振杰
路志义
张瑜洁
周永强
机构
北京工业大学电子信息与控制工程学院
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第1期10-13,共4页
基金
模拟集成电路重点实验室基金资助项目(51439010804QT0101)
国家自然科学基金资助项目(60776051
+7 种基金
61006044
61006059)
北京市自然科学基金资助项目(4082007)
北京市教委科技发展计划项目(KM200710005015
KM200910005001)
北京市人才强教深化计划-服务北京创新人才培养项目(0020005412A001)
北京市优秀跨世纪人才基金资助项目(67002013200301)
北京市教委科技发展计划项目(KM200710005015)
文摘
提出一种以SiGe HBT为有源器件的超宽带有源可调衰减器。在超宽频带内实现了宽增益调节范围和高线性度。详细分析了有源衰减器的最小插入损耗及最大衰减量,基于Jazz 0.35μm SiGe HBT工艺,通过选择合适的SiGe HBT有源器件,完成了超宽带有源可调衰减器的设计。利用安捷伦公司的ADS仿真软件,对设计的有源可调衰减器进行仿真验证。结果表明,在3.1~10.6GHz的超宽带内,当电压在0.4~1.8V的范围内变化时,该有源可调衰减器的增益动态范围大于50dB,S11在整个电压变化范围内均低于-10dB,且输入3阶交调点(IIP3)为13dBm。
关键词
超宽带
有源衰减器
可调
衰减器
SIGE
HBT
Keywords
UWB
Active attenuator
Variable attenuator
SiGe HBT
分类号
TN715 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
一种利用衰减器实现的超宽带可变增益放大器
被引量:
3
4
作者
邢光辉
张万荣
谢红云
丁春宝
郭振杰
路志义
张瑜洁
张卿远
机构
北京工业大学电子信息与控制工程学院
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第4期468-471,479,共5页
基金
模拟集成电路重点实验室基金资助项目(51439010804QT0101)
北京市自然科学基金资助项目(4082007)
+6 种基金
国家自然科学基金资助项目(60776051
61006044
61006059)
北京市教委科技发展计划项目(KM200710005015
KM200910005001)
北京市人才强教深化计划-服务北京创新人才培养项目(0020005412A001)
北京市优秀跨世纪人才基金项目(67002013200301)
文摘
提出了一种基于有源可调衰减器的超宽带可变增益放大器,以有源可调衰减器作为可变增益放大器的核心,并与高增益放大器级联,在3.1~10.6GHz超宽频带内实现了宽动态增益调节范围。基于Jazz 0.35μm SiGe HBT工艺,完成了超宽带可变增益放大器的设计,利用安捷伦公司的ADS仿真软件进行仿真验证。结果表明,在3.1~10.6GHz的超宽频带内,当电压在0.7~2.0V的范围内变化时,该放大器的动态增益变化范围大于60dB,3dB带宽大于7GHz,在整个电压变化范围内,S11和S22均低于-10dB,在最大增益处,噪声系数小于5dB。
关键词
超宽带
可变增益放大器
有源
可调
衰减器
Keywords
UWB
Variable gain amplifier
Active variable attenuator
分类号
TN721.1 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
一种结构简单的低压CMOS四象限模拟乘法器
被引量:
5
5
作者
管慧
机构
上海交通大学微电子技术研究所
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第3期211-214,219,共5页
文摘
提出了一种结构简单、采用有源衰减器的低压CMOS四象限模拟乘法器。详细分析了电路的结构和设计原理,给出了电路的PSPICE模拟结果。模拟结果表明,当电源电压为±1.5V时,功耗小于80μW,线性输入电压范围约为±0.5V;当输入电压范围限于±0.3V时,非线性误差小于1.3%;-3dB带宽约为3.2MHz。该乘法器电路可应用于低压模拟信号处理电路中。
关键词
CMOS
有源衰减器
模拟乘法器
模拟信号处理
Keywords
CMOS, Active attenuator, Analog multiplier, Analog signal processing
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TP332.22 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
一种新型低压COMS四象限模拟乘法器
被引量:
1
6
作者
宋树祥
曹才开
机构
湖南建材高等专科学校电信系
出处
《电子工程师》
2005年第5期16-18,55,共4页
基金
湖南省自然科学基金(03JJY5605)
湖南省教育厅科研项目(03C025)。
文摘
提出了一种采用有源衰减器和全差分电流传输器(FDCCⅡ)为核心的新型低压CMOS四象限模拟乘法器。PSPICE仿真表明,当电源电压为±1. 5V时,电路功耗小于75μW。该乘法器电路具有较好的线性输入范围,达到±1V,当输入电压范围限于±0. 8V时,非线性误差小于0. 6%, -3dB带宽约为10MHz。
关键词
CMOS
有源衰减器
四象限模拟乘法器
Keywords
CMOS, active attenuator, four-quadrant analog multiplier
分类号
TN432.1 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
一种新型低压COMS四象限模拟乘法器
7
作者
宋树祥
王卫东
机构
桂林电子工业学院通信与信息工程系
出处
《桂林电子工业学院学报》
2005年第1期35-38,共4页
基金
广西区自然科学基金项目(D200111)
文摘
一种新型低压CMOS四象限模拟乘法器以源衰减器和全差分电流传输器(FDCC )为核心,当电源电压为±1.5V时,电路功耗小于75μW.该乘法器电路具有较好的线性输入范围,达到±1V,当输入电压范围限于±0.8V时,非线性误差小于0.6%,-3dB带宽约为10MHz.
关键词
CMOS
有源衰减器
四象限模拟乘法器
Keywords
CMOS, active attenuator, four-quadrant analog multiplier
分类号
TN432.1 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
一种宽输入范围CMOS模拟乘法器的优化设计
被引量:
3
8
作者
戴瀚斌
张玉明
张义门
郭辉
机构
西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体重点实验室
出处
《现代电子技术》
2008年第1期140-143,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(60376001)
教育部重点项目(106150)
文摘
设计了一种基于CMOS工艺设计的宽输入范围的Gilbert单元乘法器。通过在乘法器的输入端加入有源衰减器和电位平移电路,增大了乘法器的输入范围(±4 V)。该乘法器采用TSMC 0.35μm的CMOS工艺进行设计,并用HSpice仿真器对电路进行了仿真,得到了电源电压为±4 V,以及线性电压输入范围为±4 V时,非线性误差小于1.0%,乘法运算误差小于0.3%,x输入端的-3 dB带宽为470 MHz,y输入端的-3 dB带宽为4.20 GHz的良好结果,整个乘法器电路的功耗为2.82 mW。
关键词
CMOS模拟乘法器
GILBERT单元
有源衰减器
宽输入范围
Keywords
CMOS analog multiplier
Gilbert cell
active attenuator
wide input range
分类号
TN929.11 [电子电信—通信与信息系统]
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职称材料
题名
高线性度CMOS模拟乘法器设计与仿真
被引量:
3
9
作者
丁坤
田睿智
汪涛
王鹏
易茂祥
张庆哲
机构
合肥工业大学电子科学与应用物理学院国家示范性微电子学院
中国科学技术大学信息科学技术学院
出处
《电子技术应用》
2020年第1期52-56,61,共6页
基金
国家自然科学基金(61371025)
国家大学生创新实验(201810359060)
+1 种基金
安徽省质量工程(2017jyxm0037)
中国博士后科学基金(2016M592065)
文摘
设计和仿真了一种高线性度CMOS模拟乘法器。采用有源衰减器对输入信号进行预处理,CMOS Gilbert乘法单元对信号进行乘法运算,同时设计了偏置电路。在±1.8 V电源电压下,输入范围为±0.6 V时,通过优化器件参数,乘法器输出幅度小于±25 mV且具有高线性度。乘法器-3 dB带宽为181 MHz,有着良好的倍频特性。此外,对乘法器的温度特性进行了仿真,讨论了线性度与输出幅度之间的关系,优化设计了乘法器版图。在较宽输入范围内,本文乘法器线性度明显高于参考文献。
关键词
模拟乘法器
CMOS
Gilbert单元
有源衰减器
高线性度
Keywords
analog multiplier
CMOS Gilbert unit
active attenuator
high linearity
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
一种高性能的CMOS四象限模拟乘法器
被引量:
1
10
作者
孙立平
刘阳
李联
凌燮亭
机构
复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第8期48-51,共4页
基金
国家自然科学基金
文摘
本文介绍了一种带预处理电路的CMOS四象限模拟乘法器,对其预处理电路(有源衰减器及电平位移电路)和乘法器核心电路的非线性误差作了详细的讨论.设计采用3微米N阱硅栅CMOS工艺,并给出了电路的SPICE模拟结果.当电源电压为±5V时,功耗小于6.5mW,线性输入电压范围约为±4V;当输入电压范围限于±3V内时,总谐波失真和非线性误差均小于0.33%,-3dB带宽为13.0MHz和2.2MHz;当输入电压范围限于±2V内时,总谐波失真小于0.18%,具有良好的性能.
关键词
有源衰减器
CMOS
模拟集成电路
模拟乘法器
分类号
TN715 [电子电信—电路与系统]
TN431.1 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
一种高线性度的CMOS调幅电路设计
11
作者
田贞富
吴玉广
机构
西安电子科技大学微电子技术研究所
出处
《电子设计应用》
2007年第2期92-94,97,共4页
文摘
本文设计出一种CMOS工艺调幅电路,该电路具有线性输入范围宽、线性度高的特点。文中介绍了该电路的结构,分析了电路基本工作原理,并使用仿真软件Pspice给出了电路的模拟仿真结果。
关键词
线性化压控源耦对
有源衰减器
CMOS模拟乘法器
幅度调制
正弦脉宽调制
分类号
TN929.11 [电子电信—通信与信息系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
采用有源衰减器的集成CMOS四象限模拟乘法器
王丕兰
叶润玉
《福建工程学院学报》
CAS
2005
0
下载PDF
职称材料
2
有源衰减器及其应用研究
邵牟舟
徐中亚
杨洁
秦世才
《半导体杂志》
1996
0
下载PDF
职称材料
3
一种采用SiGe HBT的新型超宽带有源可调衰减器
邢光辉
张万荣
谢红云
丁春宝
陈亮
郭振杰
路志义
张瑜洁
周永强
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2013
0
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职称材料
4
一种利用衰减器实现的超宽带可变增益放大器
邢光辉
张万荣
谢红云
丁春宝
郭振杰
路志义
张瑜洁
张卿远
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2013
3
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职称材料
5
一种结构简单的低压CMOS四象限模拟乘法器
管慧
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
1999
5
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职称材料
6
一种新型低压COMS四象限模拟乘法器
宋树祥
曹才开
《电子工程师》
2005
1
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职称材料
7
一种新型低压COMS四象限模拟乘法器
宋树祥
王卫东
《桂林电子工业学院学报》
2005
0
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职称材料
8
一种宽输入范围CMOS模拟乘法器的优化设计
戴瀚斌
张玉明
张义门
郭辉
《现代电子技术》
2008
3
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职称材料
9
高线性度CMOS模拟乘法器设计与仿真
丁坤
田睿智
汪涛
王鹏
易茂祥
张庆哲
《电子技术应用》
2020
3
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职称材料
10
一种高性能的CMOS四象限模拟乘法器
孙立平
刘阳
李联
凌燮亭
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997
1
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职称材料
11
一种高线性度的CMOS调幅电路设计
田贞富
吴玉广
《电子设计应用》
2007
0
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职称材料
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