一种效率约束的宽带天线有耗匹配网络优化设计方法

通过分析串联电容或并联电感取无穷大值时的物理含义,提出了一种普适的宽带天线有耗匹配网络拓扑结构,推导了天线辐射效率的表达式。以辐射效率作为约束,采用遗传算法对该网络参数进行优化设计。仿真结果表明,该方法对宽带天线匹配网络设计具有重要的工程应用价值。

宽带功率放大器的设计

介绍一个两级2 W的宽带功率放大器设计,频率范围从700 MHz^1.1 GHz。前级放大器采用MMIC PowerAmplifier HMC481MP86,末级采用飞思卡尔公司的LDMOS场效应晶体管MW6S004N。飞思卡尔公司提供的datasheet中没有包含在设计所要求的频段和功率输出值时相应的输入和输出阻抗值。为了正确匹配,采用ADS的负载牵引法得到LD-MOS场效应晶体管MW6S004N的输入和输出阻抗值,然后使用有耗匹配式放大器的拓扑结构进行实际设计,并使用ADS对设计的放大器进行仿真和优化。

宽带GaAs MMIC功率放大器的设计

概述了GaAs MMIC放大器的技术发展,探讨了功率单片的设计技术.介绍了一种S/C波段宽带GaAs MMIC功率放大器的设计与工艺制作情况.该芯片采用有耗匹配电路结构,利用HFET工艺制作,在3～6GHz频段内饱和输出功率达到3W,功率增益大于23dB,输入、输出驻波比均小于2.5:1,效率为18～25%.

2～6GHz单片功率放大器

报道了有耗匹配宽带单片功率放大器的研究方法和结果。该两级单片功放电路采用自建的 Root非线性模型进行了谐波平衡分析。在 2 .0～ 6.7GHz频带上线性增益为 17d B,平坦度为± 0 .75d B,输入和输出驻波分别小于 2。全频带上 ,饱和输出功率为 1～ 1.4 W,功率附加效率大于2 0 %。该宽带单片功率放大器在 76mm Ga As单片 MMIC工艺线上用全离子注入、0 .5μm栅长工艺研制完成 ,电路芯片面积为 0 .1mm× 2 .6mm× 2 .7mm。

一种宽带高效率功率放大器的设计

设计了一款10-18GHz的宽带功率放大器作为Ku波段幅相多功能芯片的末级发射电路,依据RC有耗匹配网络的原理设计了一款放大器电路,利用ADS电磁仿真软件对电路拓扑结构进行了参数优化,之后进行了版图EM仿真。放大器采用WIN PD25-00模型,0.25μm GaAs pHEMT E-Mode作为有源器件,采用了TFR电阻、MIM电容和背面地孔等工艺技术。目前设计结果表明,在10-18GHz频段,输出功率大于22dBm,功率附加效率大于30%。