GaInP/GaAs异质结双极晶体管小信号模型参数提取的新方法

提出了一种直接提取GaInP GaAs异质结双极晶体管 (HBT)小信号模型参数的新方法 .该方法基于HBT器件S参数的测试数据 ,对HBT的小信号模型进行电路网络分析 ,利用S ,Z ,Y参数关系以及电路“抽出”的技巧 ,分别对HBT小信号模型的寄生参数和本征元件参数进行提取 ,建立了一套完整的直接提取HBT小信号模型参数的新方法 .与文献报道HBT小信号模型参数提取的方法相比 ,该方法的优点是 ,提取过程具有简明清晰的物理意义 ,无需建立特殊的测试结构 ,无需引入繁琐的数学优化过程 ,提取速度快 ,并且具有比较好的精度和较宽频带范围的适用性等 .