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估算本征吸收技术中洁净区宽度的简捷方法
1
作者
王培林
叶水驰
《哈尔滨工业大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990年第6期42-47,共6页
本文研究了在本征吸收技术中,硅片中氧外扩散后其浓度纵向分布的特点,提出了一种根据氧的外扩散时间来估算本征吸收技术中洁净区宽度的简捷方法。根据该方法能够很方便地估算出任意外扩散时间下的洁净区宽度,且在洁净区宽度小于20微米...
本文研究了在本征吸收技术中,硅片中氧外扩散后其浓度纵向分布的特点,提出了一种根据氧的外扩散时间来估算本征吸收技术中洁净区宽度的简捷方法。根据该方法能够很方便地估算出任意外扩散时间下的洁净区宽度,且在洁净区宽度小于20微米范围内,其结果与理论计算值之绝对误差小于1微米。
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关键词
本征吸收技术
洁净区宽度
硅
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职称材料
题名
估算本征吸收技术中洁净区宽度的简捷方法
1
作者
王培林
叶水驰
机构
哈尔滨工业大学航天学院
出处
《哈尔滨工业大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990年第6期42-47,共6页
文摘
本文研究了在本征吸收技术中,硅片中氧外扩散后其浓度纵向分布的特点,提出了一种根据氧的外扩散时间来估算本征吸收技术中洁净区宽度的简捷方法。根据该方法能够很方便地估算出任意外扩散时间下的洁净区宽度,且在洁净区宽度小于20微米范围内,其结果与理论计算值之绝对误差小于1微米。
关键词
本征吸收技术
洁净区宽度
硅
Keywords
Inbternal Gettering
Width of Clean-Zone
分类号
TN304.02 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
估算本征吸收技术中洁净区宽度的简捷方法
王培林
叶水驰
《哈尔滨工业大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990
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