中子辐照直拉硅中的本征吸除效应

对经中子辐照的直拉硅中的本征吸除效应进行了研究 .结果表明 :经中子辐照后 ,直拉硅片经一步短时退火就可以在硅片表面形成完整的清洁区 .清洁区宽度受辐照剂量和退火温度所控制 ,清洁区一旦形成 ,就不随退火时间变化 .大量的缺陷在中子辐照时产生 ,并同硅中氧相互作用 ,加速了硅片体内氧的沉淀 ,是快速形成本征吸除效果的主要因素 。