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Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT模型参数提取
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作者 刘军 孙玲玲 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期874-880,共7页
对Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT模型本征集电极和发射极电流方程进行了改进,加强了模型的拟合能力.给出了HBT在零偏和冷偏下的等效电路模型,为精确提取基-射、基-集结本征和外围结电容,开发出一种新的、从零偏条件下测量所得S参数中直接提取本征、... 对Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT模型本征集电极和发射极电流方程进行了改进,加强了模型的拟合能力.给出了HBT在零偏和冷偏下的等效电路模型,为精确提取基-射、基-集结本征和外围结电容,开发出一种新的、从零偏条件下测量所得S参数中直接提取本征、外部结电容的方法,该方法同时允许本征集电极电阻(Rci)的解析提取.运用该方法精确提取了一发射结面积为180μm2的GaAsHBT器件参数,验证结果表明,算法精度可达40GHz. 展开更多
关键词 Ⅲ-Ⅴ族 HBT模型 冷偏 本征和外部结电容 本征集电极电阻 解析提取
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