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Si-Si直接键合的杂质分布 被引量：1
1
作者 陈新安 黄庆安 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期2051-2055,共5页
在Si-Si直接键合过程中,界面处存在一层很薄的厚度恒定的本征SiO2.Si对SiO2中的杂质的抽取效应,导致了杂质在界面处的浓度大大降低,根据改进了的杂质在Si-Si直接键合片中分布模型,推导出了杂质分布的表达式,在理论上和实验上都对该式进... 在Si-Si直接键合过程中,界面处存在一层很薄的厚度恒定的本征SiO2.Si对SiO2中的杂质的抽取效应,导致了杂质在界面处的浓度大大降低,根据改进了的杂质在Si-Si直接键合片中分布模型,推导出了杂质分布的表达式,在理论上和实验上都对该式进行了验证.杂质通过SiO2再向Si中扩散的杂质总量与Si-Si扩散相比大大减少,使所形成的p-n+结的结深减小. 展开更多
关键词 Si-Si直接键合 抽取效应 本征sio2
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