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光电导器件的探测理论分析
被引量:
4
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作者
张振杰
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
1997年第3期285-288,共4页
本文介绍了光电导器件的物理基础和探测原理,推导出了代表器件特性的电压响应度和电流响应度公式,并指出了提高器件探测灵敏度的途径.
关键词
光电导器件
能带理论
本片半导体
下载PDF
职称材料
题名
光电导器件的探测理论分析
被引量:
4
1
作者
张振杰
机构
西北大学物理系
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
1997年第3期285-288,共4页
文摘
本文介绍了光电导器件的物理基础和探测原理,推导出了代表器件特性的电压响应度和电流响应度公式,并指出了提高器件探测灵敏度的途径.
关键词
光电导器件
能带理论
本片半导体
Keywords
Photoconductor IEnergy-band theory
Intrisic semiconductor
Voltage responsivity
Current responsivity
分类号
TN201 [电子电信—物理电子学]
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作者
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1
光电导器件的探测理论分析
张振杰
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
1997
4
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